专利名称：用于电阻式存储器的电诱发电阻材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：张亦文,于伟东,李效民,刘新军,曹逊,杨蕊,杨长申请号：CN200810040958.8申请日：20080724公开号：CN101335326A公开日：20081231
摘要：本发明涉及一种用于电阻式存储器的本征及掺杂钛酸锶薄膜电诱发电阻材料及其制备方法。提供了具有电诱发电阻转变特性的本征及掺杂钛酸锶SrATiO及制备工艺，其中A是In、Ga、Mn、Sb或Ta，原子百分比x的值从1％到40％。制备方法分为金属或导电半导体底电极(Pt、Ir、TiN、SrRuO等)、本征及掺杂钛酸锶电阻转变薄膜和金属上电极的制备三部分。在不同的实验条件下，获得了类单晶、多晶及不完全结晶状态的钛酸锶薄膜，而且这些薄膜材料在以Pt、Ir、Ag、Al、Ti或Mo等为上电极材料时，在连续电压扫描激励下，表现出优异的、稳定的高低阻态转变和记忆特性。
申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所
地址：200050 上海市长宁区定西路1295号
国籍：CN
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