专利名称：氮化镓晶体管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：逯永建,吴贵阳,肖金平,贾利芳,闻永祥,李东昇申请号：CN202010286953.4申请日：20200413公开号：CN111477682A公开日：20200731
摘要：本申请公开了一种氮化镓晶体管及其制造方法，该氮化镓晶体管包括：衬底；氮化镓沟道层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述氮化镓沟道层上；第一掺杂区与第二掺杂区，位于所述势垒层中；反射层，位于所述势垒层上方，具有暴露所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的开口；源电极与漏电极，位于所述势垒层上，分别与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触；栅介质层，至少部分位于势垒层表面和反射层表面，并与所述势垒层和所述反射层接触；以及栅电极，位于所述栅介质层上并与所述栅介质层接触，其中，所述栅介质层与所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。该氮化镓晶体管通过反射层达到了在激光退火时保护部分势垒层的目的，减小了器件的导通电阻。
申请人：杭州士兰明芯科技有限公司
地址：310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号1幢1层
国籍：CN
代理机构：北京成创同维知识产权代理有限公司
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