氧在CuCl(111)表面吸附的密度泛函理论研究
2023-11-02
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维普资讯 http://www.cqvip.com 第28卷第8期 Vo1.28 No.8 催化 学 报 2007年8月 August 2007 Chinese Journal of Catalysis 文章编号:0253—9837(2007)08—0696 07 研究论文:696~702 氧在CuC!(1 1 1)表面吸附的密度泛函理论研究 王 霞 , 陈文凯 , 徐香兰 , 陆春海 (1福州大学化学系,福建福州350002;2成都理工大学核技术与自动化工程学院,四川成都610059) 摘要:运用广义梯度密度泛函理论的PW91方法结合周期平板模型,在DNP基组下研究了氧分子和氧原子在CuC1(111)表面 上的吸附.对氧分子在CuC1(111)表面吸附的相关计算和比较发现,覆盖度为0.25单层时的吸附构型为稳定的吸附构型,氧 分子倾斜地吸附在CuC1(111)表面的顶位时比较稳定,吸附后0 分子的伸缩振动频率与自由0,分子相比发生了红移.态密 度和Mulliken电荷布居分析结果表明,整个吸附体系发生了由Cu原子向0,分子的电荷转移.氧原子在CuC1(111)表面吸附 的计算结果表明,氧原子倾向于以穴位(hollow)吸附在CuC1(111)表面,通过Mulliken电荷布居和态密度分析对氧原子在CuC1 表面的吸附行为作了进一步探讨. 关键词:密度泛函理论;吸附;氧气;氯化亚铜;周期平板模型 中图分类号:0643 文献标识码:A A Density Functional Theoretical Study on the Chemical Adsorption of Oxygen on CuCI(1 1 1)Surface WANG Xia ,CHEN Wenkai ,XU Xianglan ,LU Chunhai (1 Department ofChemistry,Fuzhou University,Fuzhou 350002,Fujian,China;2 College ofApplied Nuclear Technology and Automation Engineering,Chengdu University of Technology,Chengdu 610059,Sichuan,China) Abstract:The adsorption of O,molecules and O atoms on the CuC1(11 1)surface was studied using first—princi— ple calculations based on the density functional theory with the generalized gradient approximation developed by Perdew and Wang(PW91).Adsorption models under different coverages of the CuC1(11 1)surface were consid— ered.The adsorption over various adsorption sites(top—V,hollow—V,bridge—V,C1一V,top—P,hollow—P, bridge—P.and Cl—P sites)was selected for calculation.The optimized results indicated that the adsorption was very stable when the coverage was set to 0.25 monolayer.The O,molecule was inclined to adsorb aslant on the CuC1(11 1)surface,and the O—O stretching vibrational frequencies were significantly red—shifted.The results of the Mulliken population analysis and the density of states indicated that the charges transferred from Cu to oxy— gen.The O atom was likely to adsorb at the hollow site of the CuCl(1 1 1)surface.The Mulliken population analysis and the density of states were calculated to explain the computed results. Key words:density functional theory;adsorption;oxygen;cuprous chloride;periodical slab model 氧化是自然界一种非常普遍的腐蚀现象,每年 因为氧化而造成的损失很大,研究氧气在固体表面 的吸附对于更深入地了解氧化机理有很重要的意 义[ .同时,氧在固体催化剂表面的吸附是催化氧 化的前提[ ,因而备受关注.近年来,用金属或者 收稿日期:2007—01—11 第一作者:王金属氧化物吸附氧气逐渐成为催化研究的热 点[3--16],氧气和铜盐的反应因在催化反应、生化过 程和材料腐蚀过程中的重要性而成为许多理论和实 验工作者感兴趣的课题之一[。~8,l ~l 91. 闪锌矿结构的CuC1具有很大的温度依赖性、较 霞,女,1981年生,硕士研究生. 联系人:陈文凯.Tel:(0591)87893235—8313;E—mail:qc2008@fzu edu.cn. 基金来源:国家自然科学基金委员会一中国工程物理研究院联合基金(10676007);福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划;福州 大学科技发展基金(2005一XQ一03);福建省重大专项基金(2005HZ01-2—6) 维普资讯 http://www.cqvip.com 第8期 王 霞等:氧在CuC1(111)表面吸附的密度泛函理论研究 697 大的抗磁性、电离度以及非线性光学等优良特性. CuC1在许多化学反应中是一种优良的催化剂,但是 对于氧分子在CuC1表面上吸附和解离的研究却少 见报道[ .Zhang等【 。j通过实验和理论计算的方 法研究了氧与CuC1之间的相互作用,结果表明,吸 附之后。一。伸缩振动频率发生红移,但是并未给 出具体的吸附位和吸附强弱. 本文在密度泛函理论框架下,采用GGA—PW91 方法模拟和计算了氧分子及氧原子在CuC1(111)表 面的吸附行为,对不同覆盖度和不同吸附位的吸附 构型进行了几何构型优化,讨论了它们的吸附能和 伸缩振动频率的变化,并进行了Mulliken电荷布居 分析和态密度分析,为进一步研究氧和固体催化剂 表面的相互作用提供理论依据. 1模型和计算方法 CuC1属面心立方构型[21 J,晶胞参数&= 0.540 57 nm,Cu和cl均采取四面体配位形式.本 文在计算中选取CuC1(111)一1 x 1,CuC1(111)一√3 X √3和CuC1(111)一2 x 2六层平板厚度来讨论氧在 CuC1(111)表面的吸附情况.CuC1(111)一1 x 1和 CuCl(111)一√3×√3超晶胞模型如图1所示. 一 Cu CI\ l/ ● ●[ [ j= —一| |rr - J L 图1 CuCI(111).1 X 1和CuCI(111). X 超晶胞模型 Fig 1 CuC1(111)一1×1 and CuC1(111)一 × supercell models 采用广义梯度密度泛函理论和周期平板模型方 法模拟氧在CuC1(111)面的吸附,所有计算由Dmol 软件包(3.1版本)[22--24]完成.密度泛函理论被证 明在几何优化计算中是非常可靠的[25--29].计算时, Cu原子内层电子由有效核势代替,价电子波函数用 双数值基加极化函数展开,Cl和O原子采用全电 子基组.计算过程精度设为精细,Brillouin—zone积 分的Monkhorst—Pack网格参数设为4 x 4 x 1, Methfessel—Paxton扫描设为0.136 eV,优化收敛精 度取程序内定值.构型优化时底物全部固定.相邻 两层平板间的真空层厚度为1 nm,以确保平板间 的分子间相互作用足够小. 交换一相关泛函的选择对于计算表面是非常重 要的.局域自旋密度近似(1ocal spin density approxi— mation)对于分子构象、振动频率和单粒子性质方面 计算较准确,但通常对分子键能有过高的估计;广 义梯度近似(general gradient approximation,简称 GGA)的引入提高了密度泛函理论算法的精度,并 改进了原子交换能和相关能的计算结果.我们采用 GGA—PW91方法优化得到的自由氧气分子的。一。 键长为0.122 4 nm,与实验值0.120 7 nmL3。 比较 接近,所以本文选取GGA—PW91方法. 定义吸附前后各物质中能量的变化为吸附能, 其大小可以表示吸附体系的稳定性. Eads EO+Esubst ra【e—E(o22+substrate) 式中E d 为吸附能,E 和E b 分别表示吸附 前O2分子和底物的能量,E( + b )表示吸附后 体系的总能量.吸附能数值表示发生吸附的可能性 和吸附的程度(吸附能的相反数即通常定义的结合 能). 2结果与讨论 2.1氧气分子的计算 2.1.1不同覆盖度下的吸附活性比较 本文对覆盖度为0.25,0.33,0.50,0.67和 1.00 ML(单层)的构型分别进行构型优化,结果见 表1.覆盖度通过计算吸附氧分子数与表面铜原子 数的比值得到,例如,在CuCl(111)一2 x 2超晶胞上 吸附一个氧分子时覆盖度为0.25 ML. 构型优化的结果显示,不同覆盖度下氧分子在 CuC1(111)表面的吸附为垂直吸附,三重态和单重态 下计算所得结果比较接近.o—o键长的计算结果 显示,吸附后氧分子O—O键长相对于自由氧分子 的。一。键长(0.122 4 nm)都有不同程度的增长,且 随着覆盖度的增加,O—O键长的变化依次减小,即 0.25 ML时的O—O键长变化最大.可见吸附后氧 分子的O—O键削弱程度越大,越有利于O,的进一 步解离.从吸附的氧原子与Cu原子间的距离来看, 覆盖度越大,则Cu—O键越长,吸附越弱,表明覆盖 度为0.25 ML时为稳定吸附.吸附能的计算结果 显示,所有覆盖度下的吸附能都大于40 ld/mol,同 维普资讯 http://www.cqvip.com 698 催化学报 第28卷 时随覆盖度的增大,吸附能依次减小,因此覆盖度为 0.25 ML时的吸附构型为稳定构型,这与几何构型 的分析结果一致.Mulliken电荷布居分析表明,吸 附过程中氧气分子得到了电子,且随着覆盖度的增 大,氧分子得到的电子依次减少.吸附分子的电荷 变化值越大,底物和吸附分子之间转移的电荷越多, 吸附键越强,吸附越稳定,这进一步说明覆盖度为 0.25 ML时的吸附最稳定. ~一 一~一~一一 ~一~ 一咄一咄咄一咄一 一一咄 一一咄 一舢一咄 ~一~ 八,八八 _八八 八 八 为进一步分析氧分子在CuC1(111)表面吸附的 作用机理,计算了氧分子吸附前后的态密度,结果如 图2所示.氧分子的电子组态l3l_为(1d) (2d) (3d) (4d) (1 rr) (5d) (270 (6a)。,最低空轨道和最 高占据轨道都是反键的2丌 轨道.由图2(a)可以看 出,自由氧分子的态密度在Fermi能级处有一个峰, 由氧分子的电子组态知此峰表示2丌 轨道,此峰右 边的峰为6a轨道.图2(b)~(f)相对于(a)发生了 较大改变,说明吸附过程中氧分子与底物间有相互 作用,2丌轨道和6 轨道的能带向低能级方向移动, 即氧分子的2丌轨道和6a轨道得到电子,向占据态 移动,并且图2(b)和(C)中的6a轨道移动的程度更 大,即在0.25和0.33 ML时氧分子得到的电子更 多,这与上述布居分析的结果是一致的. 可以推测,吸附键的形成主要归因于Cu的d 轨道与o,的2rr 轨道和6d轨道间的相互作用.Cu 的d轨道是全填满电子的轨道,而O’的2丌 轨道 和6a轨道是未填满电子的轨道,所以Cu原子d轨 道上的电子反馈给O’的未填满电子的轨道,造成 虽 2 八,八ln\ 器 萎 0 茸 兽 0 /^\八 八. 八八 /\ 八 (D E 八八 八. lO 一5 Energy(eV) 图2 自由氧分子和不同覆盖度下吸附后的氧分子的态密度 Fig 2 The density of states(DOS)of free O2 molecule and adsorbed O2 molecule under different coverages (a)Free O2,(b)0.25 ML,(C)0.33 ML, (d)0.50 ML,(e)0.67 ML,(f)1.00 ML o—o键伸长. 2.1.2不同吸附位的吸附活性比较 考察了氧气分子在4种不同吸附位(包括top, hollow,bridge和C1位)上垂直和平行吸附时的吸 附情况(具体的吸附位如图3所示),有8种吸附构 型,分别为top.V,hollow—V,bridge—V,Cl—V,top— P,hollow—P,bridge—P和C1一P,V表示垂直(verti— ca1)吸附,P表示平行(paralle1)吸附,优化后的平衡 吸附构型如图4所示.需要说明的是,当氧气的自 旋多重度设为三重态时,top—P,hollow—P和C1一P三 种吸附模式优化后的平衡吸附构型相近,故图4中 只给出了top—P优化后的吸附构型;当氧气的自旋 多重度设为单重态时,top—P,hollow—P,bridge—P和 C1一P四种吸附模式优化后的平衡吸附构型相近,故 图4中只给出了top—P的吸附构型. 维普资讯 http://www.cqvip.com 第8期 王 霞等:氧在CuCI(111)表面吸附的密度泛函理论研究 699 由图4可见,氧气分子垂直吸附于CuC1(111) 表面时,O—O键长的变化不是很大,而当氧气分子 平行吸附于CuC1(111)表面时,O—O键轴发生倾 斜,且O—O键长的变化比较大.氧气分子的自旋多 重度设为三重态时,top—P吸附模式的O—O键长变 化最大,其次为bridge—P吸附模式,其它几种吸附模 式的O—O键长变化相差不是很大.吸附分子的键 长变化越明显,说明吸附分子与底物的作用越强烈, 即吸附越稳定,因此,top—P吸附模式最稳定.当氧 o Cu o C1 气分子的自旋多重度设为单重态时,几种吸附模式 图3 CuCI(111).2 x 2的平板模型 中的O—O键长都有不同程度的增长,top—P构型的 Fig 3 The slabmodel of CuC1(111)一2 X 2(top and side views) O O键长变化最大,吸附最稳定. q 碣 一 top—P(triplet) bridge—P(triplet)top—V(singlet) ^ ocuo Cl 各种吸附模式的吸附能、O—O伸缩振动频率 非常吻合.由表2可以看出,对于所有的吸附位,吸 和Mulliken电荷的变化如表2所示.可以看出,各 附后O,分子的伸缩振动频率与自由O 分子相比 种吸附位上的吸附能均大于40 kJ/mo1.氧气分子 都发生了红移.其中,氧分子的自旋多重态为三重 的自旋多重度设为三重态时,top—P吸附模式(或 态时,在top—P(或hollow—P和C1一P)位上吸附的o2 hollow—P和C1一P)的吸附能最大,而吸附能越大,则 分子的伸缩振动频率红移最多,O—O键的伸缩振 吸附分子与底物之间的吸附键越强.由此可见,O 动频率越小,O—O之间的相互作用力越弱,吸附越 在top—P(或hollow—P和C1一P)位的吸附模式在能量 稳定.氧分子的自旋多重态设为单重态时,在top—P 上最为有利,为稳定的吸附构型.氧气分子的自旋 (或hollow—P,bridge—P和C1一P)位上吸附的氧分子 多重度设为单重态时,top—P吸附模式(或hollow— 伸缩振动频率相对于自由氧气分子也发生了红移, P,bridge—P和C1一P)的吸附能最大,为稳定的吸附 且红移最多,即在这几种吸附位上吸附最稳定,这与 构型,这与上面的键长分析结果一致. 能量的分析结果一致.Zhang等l2 o_实验结果表明, 采用本文方法计算得到的自由O 分子的伸缩 氧与CuC1作用后O—O伸缩振动频率发生红移,约 振动频率为1 545 cm ,与实验值(1 555 cm 【 j) 为1 175 cm~,本文的计算结果与该报道相近. 维普资讯 http://www.cqvip.com 维普资讯 http://www.cqvip.com 第8期 王 霞等:氧在CuC1(111)表面吸附的密度泛函理论研究 701 2.2氧原子在CuCI(111)表面的吸附位置 对氧原子在Cue1(111)表面top,bridge,hollow 和cl位上吸附平衡时的吸附高度、吸附能、Mul— liken电荷布居分别进行了计算,结果如表3所示. 构型优化的结果显示,hollow,bridge和Cl位上三 种吸附模式优化后的平衡吸附构型相近,氧原子倾 向于以hollow位吸附在Cue1(111)表面,所以三种 吸附模式优化后的吸附高度、吸附能和Mulliken电 荷布居都很相近.由表3可见,氧原子以顶位吸附 时的吸附高度最大,说明吸附原子与底物的距离比 较大,吸附不强,其它三种吸附位上的吸附高度相对 较小,吸附较强.吸附能的计算结果显示,氧原子在 Cue1(111)表面吸附时的吸附能比较大,是强烈的化 学吸附,并且顶位吸附时的吸附能比较小,其它三种 吸附模式下的吸附能相对较大.吸附能越大,吸附 越稳定,说明在穴位吸附时吸附相对比较强,这和吸 附高度的分析结果是一致的.Mulliken电荷布居分 析的结果表明,氧原子吸附后带负电荷,说明吸附过 程中电子由底物转移到氧原子.与顶位吸附相比, 其它三种吸附模式下氧原子所带的电荷较多,说明 吸附过程中转移的电荷较多,吸附键较强,吸附比较 稳定. 表3氧原子在CuCI(111)表面吸附平衡时的吸附高度、 吸附能和Mulliken电荷布居 Table 3 The adsorption height,adsorption energy,and Mulliken charge for O atom equilibrium adsorption on Cue1(111) surface 为了进一步分析吸附过程中氧原子与底物的相 互作用,对吸附前后氧原子的态密度进行了对比,如 图6所示.由于氧原子在hollow,bridge和Cl位吸 附时的几何优化构型相近,所以图6(C)~(e)的态 密度非常相似.由图6(a)可以看出,自由氧原子在 Fermi能级处有一个峰,由氧原子的电子排布知此 峰表示氧原子的2P轨道.图6(b)~(e)相对于(a) 发生了较大的改变,说明吸附过程中氧原子的原子 轨道发生了变化,即与底物有强烈的相互作用,2P 轨道能带向低能级方向移动,氧原子的2P轨道得 到电子向占据态移动,这与布居分析的结果是一致 的.由此可以推测,吸附键的形成主要是因为Cu的 (a) 八 八, L (b) > 八八 口 2 8 (c) ’F 一 器 _{苦 0 — \ 一 晶 口 0 (d) 7 — \ 一 1O 5 Energy(eV) 图6 自由氧原子和吸附在不同吸附位的氧原子的态密度 Fig 6 DOS offree0 atom and adsorbedO atoms on different adsorption sites (a)Free O,(b)Top,(C)Bridge,(d)Hollow,(e)C1 d轨道和氧原子的2P轨道之间的相互作用,cu的 d轨道是全填满电子的轨道,而氧原子的2P轨道 是未填满电子的轨道,所以Cu的d轨道上的电子 反馈给。原子的2P轨道,形成吸附键. 3 结论 采用广义梯度密度泛函理论的PW91方法结合 周期平板模型,对氧分子和氧原子在Cue1(111)理 想表面的吸附进行了计算,由于吸附分子间的相互 排斥作用,覆盖度越小则吸附越稳定.氧分子存在 的孤电子对使其倾斜吸附在Cue1(111)表面时比较 稳定,同时O—O键伸长,吸附后的O,分子的伸缩 振动频率发生了红移.在吸附体系中,电荷由Cu原 子向O,分子转移,造成O—O键的伸长,频率红移. 氧原子倾向于以穴位吸附在Cue1(111)表面,吸附 键的形成主要归因于Cu的d轨道与。原子的2P 轨道之间的相互作用. 维普资讯 http://www.cqvip.com 702 催化学报 第28卷 18 Schatz M,Becker M,Thaler 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