（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201010535769.5 （22）申请日 2010.11.04
（71）申请人 友达光电股份有限公司
地址 中国台湾新竹市
（10）申请公布号 CN102097514A
（43）申请公布日 2011.06.15
（72）发明人 胡雁程;陈芃;陈宗保;梁硕玮;吴振诚;陈建任 （74）专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 梁挥
（51）Int.CI
H01L31/052; H01L31/0216;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
太阳能电池
（57）摘要
本发明公开一种太阳能电池，其包括半导
体基材、掺杂层、抗反射层、电极、钝化堆栈层以及接触层。半导体基材具有前表面以及后表面。掺杂层位于半导体基材的前表面上。抗反射层位于掺杂层上。电极位于抗反射层上且与掺杂层电性连接。钝化堆栈层位于半导体基材的后表面上，且钝化堆栈层包括第一介电层、第二介电
层以及夹于第一介电层与第二介电层之间的中间介电层。特别是，中间介电层的介电常数约低于第一介电层的介电常数以及第二介电层的介电常数。接触层覆盖钝化堆栈层且与半导体基材的后表面电性接触。本发明的太阳能电池由于中间介电层的介电常数够低，因此可以提升光线在太阳能电池内的反射效率，进而提高太阳能电池的效能。
法律状态
法律状态公告日2011-06-15 2011-08-10 2013-01-30
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
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权利要求说明书
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说明书
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