专利名称：单晶的制造方法及制造装置专利类型：发明专利发明人：西冈研一
申请号：CN201510667538.2申请日：20151016公开号：CN105525339A公开日：20160427
摘要：[课题]在基于采用气体掺杂法的FZ法的单晶的制造中，防止在掺杂气体的喷射刚开始后就产生的单晶的有位错化。[解决手段]在基于使用了边向熔融区域喷射掺杂气体边进行单晶的培养的气体掺杂法的FZ法的单晶的制造方法中，用质量流量控制器对掺杂气体的流量进行控制。在掺杂气体的喷射开始时，将其流量设为第1流量Q，随着时间的经过使流量逐渐增加，在自喷射开始时经过一定时间的时刻t以后，将流量设为比第1流量Q还大的第2流量Q。
申请人：胜高股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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