专利名称：多光束干涉光刻辅助曝光装置专利类型：发明专利
发明人：张锦,马丽娜,蒋世磊,孙国斌,杭凌侠,弥谦申请号：CN201510491702.9申请日：20150812公开号：CN104991426A公开日：20151021
摘要：本发明公开了一种多光束干涉光刻辅助曝光装置，包括底座、光阑吸附底座、辅助曝光光阑、基片旋转台，所述光阑吸附底座、基片旋转台设置在底座上，所述辅助曝光光阑设置在光阑吸附底座上，所述辅助曝光光阑上设置有开孔，所述基片旋转台上设置有第一读数指针，并且所述基片旋转台靠近光阑吸附底座的侧面设置有基片吸盘，所述基片吸盘中心设置有抽气孔。本发明结构简单合理，便于基片安装调整，能够实现基片不同位置的单、多次曝光，提高多次曝光的重合度，调整无需碰触基片，减少基片污损概率，辅助曝光光阑更换方便，适用于不同的需求。
申请人：西安工业大学
地址：710032 陕西省西安市未央区学府中路2号
国籍：CN
代理机构：西安新思维专利商标事务所有限公司
代理人：黄秦芳
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