一种IGBT短路保护驱动电路的优化

第３７卷第４期　太原科技大学学报　Ｖｏ１．３７　Ｎｏ．４　Ａｕｇ．２０１６　２０１６年０８月　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＴＡＩＹＵＡＮ　ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ　ＯＦ　ＳＣＩＥＮＣＥ　ＡＮＤ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ　文章编号：１６７３—２０５７【２０１６）０４－０２５６—０４　一种ＩＧＢＴ短路保护驱动电路的优化　赵晓博　，刘立群　，翟晓宇２，吴祥辉　，刘　晓　（１．太原科技大学电子信息工程学院，太原０３００２４；２．国家电网阜阳市城郊供电公司，安徽阜阳２３６０３３）　摘要：通过对ＩＧＢＴ短路失效原因的分析，提出了防止短路故障时ＩＧＢＴ失效的有效方法。进而对　具有短路保护功能的ＥＸＢ８４１驱动电路的各部分功能进行了详细地阐述，最后针对ＥＸＢ系列电路存在　的缺陷，给出了改进后的驱动电路。该电路不仅改善了因ＥＸＢ模块过流保护起控点设置不合理带来的　弊端，同时专门设置了延时封锁信号的功能，实现了对ＩＧＢＴ的软关断处理，避免了过流情况下硬关断所　造成的危害。这对ＥＸＢ系列驱动模块的进一步改进具有较大的参考价值。　关键词：ＩＧＢＴ；短路保护；驱动电路；改进　中图分类号：ＴＭ５　文献标志码：Ａ　ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７３—２０５７．２０１６．０４．００２　工业化的快速发展使得各个领域对电力电子　级为３８０Ｖ的三相交流电首先通过滤波电路输送到　由三个桥臂组成的三相全桥整流电路中，然后通过　高频滤波电容后再经过全桥逆变电路逆变成交流　电，最后通过变压器１＇Ｉ变换成负载所需的电压。　Ｌｄ　设备功率等级的要求也越来越高，ＩＧＢＴ作为大功　率全桥变换器的理想开关元件，其良好的运行情况　对于大功率系统的稳定性显得尤为重要¨　。　ＩＧＢＴ是电压控制型大功率电力电子器件，其　高输入阻抗使其驱动较为容易，但ＩＧＢＴ的短路电　流可以达到其额定电流的６～１０倍，如果ＩＧＢＴ在　短路发生后持续的时间超过其所能承受的最大短　路时限，则会发生锁定性失效。ＩＧＢＴ的驱动已经　有了很多成熟的应用，将ＩＧＢＴ的隔离驱动和短路　检测保护集成混合集成电路是提高ＩＧＢＴ运行可靠　性的一种有效途径。现在流行使用的ＨＲ０６５、　ＥＸＢ８４１等ＨＩＣ都具有短路保护的驱动功能，但它们　ＡＣ　３８０　Ｄ４　【Ｄ６　ｒＤ２　＝：　＿Ｃｄ：　鞘　Ｂｌ　ＩＤ３】　Ｂ５　：图１逆变电源主电路　Ｆｉｇ．１　Ｍ　ｎ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｏｆ　ｓｏｌａｒ　ｐｏｗｅｒ　ｉｎｖｅｒｔｅｒ　当全桥逆变电路Ｑｌ、Ｑ３（或者Ｑ２、Ｑ４）组成的逆　变桥上、下桥臂直通或者负载出现短路故障时，开关　管因承受太大的电压而使其集电极电流迅速增加，　当超过其所能承受的最大电流时就会损坏，因此合　都具有较严重的缺陷。ＨＲ０６５的短路保护可靠性　差。ＥＸＢ８４１在短路故障的情况下虽然考虑到要缓　慢关断ＩＧＢＴ，但仍不能实现封闭保护功能。因而，有　必要对其进行优化。本文针对ＥＸＢ８４１的缺陷，合理　地进行改进，并通过实验验证了优化电路的可行性。　理的设计短路保护才能保证ＩＧＢＴ可靠的工作。　在设计短路保护电路时，首先应了解ＩＧＢＴ短　路失效的几个主要原因：　１　ＩＧＢＴ短路保护的分析　如图１所示为常见的逆变电源主电路，电压等　收稿日期：２０１５－１１　基金项目：中国博士后基金（２０１４＇Ｉ＂７０３２４；２０１３Ｍ５３０８９５）　１）超过热极限。器件如果短路时间过长，就会引　起器件温度的骤升，如果温度超过硅的本征温度（约　作者简介：赵晓博（１９８８一），男，硕士研究生，主要研究方向为现代电力电子与新能源发电技术。　第３７卷第４期　赵晓博，等：一种ＩＧＢＴ短路保护驱动电路的优化　２５７　２５０℃），ＩＧＢＴ就会失去阻断能力，栅极控制失效。　点的电位与脚２的电位相同，其值为２０　Ｖ，二极管　ｖ６截止，ｖ４、Ｖ５不受影响。　２）擎住效应。擎住效应分为静态擎住效应和　动态擎住效应，静态擎住效应由集电极电流过大产　生，动态擎住效应是因为集射电压变化太快。　Ｃ　ＮＰ　图２　ＩＧＢＴ等效电路　Ｆｉｇ．２　ＩＧＢＴ　ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ　ｃｉｒｃｕｉｔ　如图２所示，ＩＧＢＴ体内存在一个ＮＰＮ晶体管，　其基极与发射极之间并联着一个扩展电阻Ｒ　．当　集电极电流增大到一定值时，此扩展电阻产生的正　偏置电压就会将ＮＰＮ晶体管导通，当上下两个晶体　管达到饱和状态，门极就会失去控制作用，形成静　态擎住效应，随着ＩＧＢＴ集电极电流的继续增大，其　过高的功耗将会使器件失效。　ＩＧＢＴ在故障情况下短时间关断的过程中，由　于ｄＶｃｒ／ｄｔ很大，在扩展电阻Ｒｂｒ产生的正偏置电压　足以将ＮＰＮ晶体管开通，形成动态擎住效应。　３）瞬时过电流。短路过电流、续流二极管的反　向恢复电流、噪声干扰造成的尖峰电流，对于这些　瞬时过电流，如果不采取相应措施进行处理，也可　能导致ＩＧＢＴ失效。　以上分析可知，减小故障电流是防止短路故障　时ＩＧＢＴ失效的有效方法。由文献［６］可知通过降　低栅射电压，其短路电流会明显减小，其允许的短　路时间也相应地增大。　２　ＥＸＢ８４１过流保护功能分析　２．１工作原理　ＥＸＢ８４１的工作原理如图３所示。　为了防止驱动信号受外部因素的干扰而使ＩＧ．　ＢＴ误导通或者误关断，该电路选用ＴＬＰ５５０把驱动　电路与前级控制电路隔离开。当控制电路使　ＥＸＢ８４１输入端１４和ｌ５脚有持续１　ｓ的大小为　１０　ｍＡ的电流流过时，ＩＧＢＴ导通。此时集射极电压　下降到３　Ｖ，内部电路ｃ点的电位与ＥＸＢ８４１的６　脚的电位都被箝制在８　Ｖ左右。不足以将稳压值　为１３　Ｖ的稳压管ＶＺ　击穿，所以ｖ３不会导通，Ｅ　…．．．．　Ｉ　￣２０ｖｉ　ＥＸＢ８４１　、ｊ　＇　ｌ　８　２Ｋ￣ＶＲ１０　Ｚ　圭Ｒ５Ｒ７ｎ　！ｖ　Ｖ５　ｓ　Ａ　＿－——　—＿—《—　　鹳　２２０ｎ　Ｅ　，　Ｖｌ　Ｉ　。ｃ２…１ｃ　　Ｉ１　Ｒ６　２Ｃ２４ｎ　Ｆ　５Ｖ．Ｚ１　ＶＪ　ｌＰ　ｌ　●　ＴＬＰ５５０　ＯＶ　　９　图３　ＥＸＢ８４１工作原理图　魂．３　ＥＸＢ８４１　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｄｉａｇｒａｍ　当ＩＧＢＴ发生短路时，开关管集电极电流太大　而退饱和，集射极的电压迅速上升，进而使ｖ７截　止，此时ＥＸＢ８４１的６脚“悬空”，Ｃ点电位由８　Ｖ开　始上升，当达到ｌ３　Ｖ时，稳压管Ｖｚ　被击穿，Ｖ３导　通后，Ｃ４通过Ｒ７和Ｖ３放电，Ｅ点的电位开始逐步　降低，随后二极管Ｖ６导通，３脚的电位也开始逐步　下降，最终缓慢地将ＩＧＢＴ关断。　Ｅ点由２０　Ｖ下降到３．６　Ｖ所经历的时间可由　下列式子求得：　３．６＝２０ｅ～／Ｔｌ　（１）　下ｌ＝Ｃ４Ｒ７＝２．２×１０　ｘ２２×１０一＝４．８４　ｓ（２）　由公式（１）和公式（２）求得：　ｔ＝８．３　ｓ　直到控制信号给ＥＸＢ８４１使光耦截止，此时　Ｖｌ、ｖ２导通，Ｃ２在Ｖ１导通后迅速放电，Ｂ点电位　的下降使Ｖ３截止，２０　Ｖ电源通过Ｒ９、Ｖ６给ｃ４充　电，Ｅ点电压由３．６　Ｖ充到ｌ９　Ｖ所需的时间可由下　列式子求得：　１９＝２０（１一ｅ　／Ｔ３）十３．６ｅ　／＇ｒ２　（３）　＇ｒ２＝Ｒ９Ｃ４＝２．２×１０　Ｘ　２２×１０一　＝４８．４　ｓ（４）　由公式（３）和公式（４）求得：　ｔ＝１３５　Ｉｘｓ　至此，ＥＸＢ８４１恢复正常，可以进行正常的驱动。　２．２保护功能分析　由以上分析可知，在ＩＧＢＴ发生短路，ＥＸＢ８４１　在检测到短路Ｉ．５　ｓ后开始降低ＶＧＥ，经过大约８　ｓ的时间缓慢地将ＩＧＢＴ关断。如果短路现象在　这期间消失，ＶＧＥ会逐渐恢复正常值，恢复所需时　间由Ｔ２决定，这就避免了保护电路的频繁动作。　２５８　太原科技大学学报　２０１６焦　然而，ＥＸＢ模块仍有以下不足：　１）ＥＸＢ８４１内部的光耦由稳压管ＶＺ　供电，其　１脚与开关管的发射极相连，在ＩＧＢＴ开通和关断的　过程中难免会产生浪涌尖峰电压，必然会对稳压管　优化的电路原理图如图５所示。　Ｖｚ：造成冲击使之损坏，降低整个电路的可靠性。　２）１．５｝ｘｓ的延时设置不合理。由于Ｅ点的充　电时间远远大于放电时间，一旦慢关断电路工作，　即使短路很快消失，ＥＸＢ８４１的３脚输出也很难很　快使开关管的栅射极电压恢复到正常值。这样就　会降低与本脉冲关断时刻相距１４３ｕｓ以内的所有后　续脉冲正电平作用的稳定性。　３）过流保护的起控点设置不合理。ＥＸＢ８４１主　要根据脚６电压的大小来判定是否过流，而６脚电　位的高低由开关管集射极电压、Ｖ７的导通电压决　定。ＥＸＢ系列一般使用型号为ＥＲＡ３４．１０的二极　管，其通态管压降为０．５～０．６　Ｖ，所以发生过流情　况时，而ＩＧＢＴ在额定工作情况下其导通压降为３．５　Ｖ，所以在ＶＣＥ＝７．５　Ｖ时，流过ＩＧＢＴ的电流已经　是额定电流的约２—３倍，这样在严重过流的情况　下，即使ＥＸＢ模块对ＩＧＢＴ进行保护，对其寿命也　有不良的影响。　ＶｃＥ＝Ｖ６一ＶＤ—ＶＥ＝１３—０．５—５＝７．５　Ｖ　３　ＩＧＢＴ短路保护电路的优化　针对以上所述的不足，综合对ＩＧＢＴ驱动的要　求以及ＩＧＢＴ开关断特性的考虑，我们对ＥＸＢ８４１　模块加以优化。其短路保护动作流程如图４所示。　图４　ＩＧＢＴ短路保护动作流程图　Ｆｉｇ．４　Ａｃｔｉｏｎ　ｆｌｏｗ　ｃｈａｒｔ　ｏｆ　ｓｈｏｒｔ－ｃｉｒｃｕｉｔ　ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ　图５　ＥＸＢ８４１保护电路的优化　Ｆｉｇ．５　Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＥＸＢ８４１　ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ　ｃｉｒｃｕｉｔ　为了抑制浪涌尖峰电压对１脚造成的电压冲　击，在１脚和９脚之间并联一只瞬态电源抑制二极　管（ＴＶＳ）．正常情况下，ＴｖＳ处于高阻态。当产生浪　涌尖峰电压时，　ｒｖＳ发生短路并对浪涌尖峰电压进　行吸收。因为功率开关管在静电或者其他外界干　扰的情况下很容易误导通，所以需要在门极和发射　极之间并接一对双向稳压管ＶＺ，和ＶＺ　，以防止其　受到外界的干扰。　在开关管关断过程中由于其内部电感的存在，　可能产生较高的感应电压，会对６脚造成冲击而使　之损坏，所以在６脚端口接一只稳压管ＶＺ　起到稳　压保护的作用。除此之外，为了防止过电压通过电　路反向输送给驱动电路，还需要在开关管集电极侧　串接一个快恢复二极管Ｖ７．在保护电路对短路故　障进行保护的过程中，在ｖ７端反接稳压管ＶＺ５，可　以减小开关管集射极压降，提高ＩＧＢＴ的使用寿命。　从而改善了因ＥＸＢ模块过流保护起控点设置不合　理带来的弊端。　过流情况下，为了实现对ＩＧＢＴ的软关断处理，　设置了延时封锁信号功能，它由Ｔ１、５５５定时器、　和与门４０８１配合实现。当系统检测到过流信号　时，由５脚输出故障信号，然后作用于Ｔ１使之截　止，经由ＲＣ构成的延时电路后作用于ＬＭ５５５，之后　５５５定时器就会触发　导通，向与门４０８１输入低　电位，光耦在４８０１输出低电平后关断，驱动电路对输　入信号封锁。其延时的时间Ｔ可由公式Ｔ＝１．１×　ＲＣ求取，在本电路里，我们取Ｒ２为１０　ｋｇｌ，Ｃ２为　６２０　ｐＦ，求得延时时间约为７　ｓ．如果短路故障未在　７　ｓ的延时封锁输入信号内消除，对于控制电路给　定的输入信号，驱动电路将始终保持封锁状态，此　时必须关闭整个系统去排除短路故障。　第３７卷第４期　赵晓博，等：一种ＩＧＢＴ短路保护驱动电路的优化　２５９　３　结语　通过ＰＲＯＴＥＵＳ仿真软件搭建优化的电路，调　本文对ＩＧＢＴ短路保护进行分析，指出了ＥＸＢ　系列驱动电路的缺陷，并对其加以优化，实验验证　了电路的可行性，这对ＥＸＢ系列驱动模块的进一步　改进具有较大的参考价值。　１．０　１Ｖｕ（ｏＧｌｔａ）ｇ。　Ｉ．０　；．０　节信号发生器使之产生３３　ｋＨｚ的脉冲信号，在ＩＧ—　ＢＴ门极端放置一电压探针，集电极端放置一电流　探针，实时检测其变化。发生短路故障时在设置的　１　ｍｓ时间内，通过仿真图表绘制电压探针、电流探　针随时间变化其变量的变化情况如图６所示。　１．０　１．０　）．Ｏ　００　００　ＯＯ　＾，、　Ｂ　．　一　，　／　／　、、、　当负载出现短路故障后，保护电路在约３　ｓ后　开始动作，通过调节使ＩＧＢＴ的门极电压降低，曲线　Ａ为ＩＧＢＴ门极的电压变化情况，曲线Ｂ为开关管　集电极处的电流变化情况。在集电极电流迅速增　００　ｌ　　一／　Ｍ　加时，在允许的过流时间内，随着ＩＧＢＴ栅射极电压　的逐渐减小最终将开关管缓慢地关断。　图６故障情况下门极电位的变化波形　Ｆｉｇ．６　Ｗａｖｅｆｏｒｍ　ｏｆ　ｇａｔｅ　ｐｏｔｅｎｔｉａｌ　ｕｎｄｅｒ　ｍａｌｆｕｎｃｔｉｏｎ　参考文献：　［１］　ｕ　ＹＡＮＭＩＮＧ．Ａｎ　Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　Ｈｉｃｃｕｐ　Ｍｏｄｅ　Ｓｈｏｒｔ－Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ　Ｗｉｔｈ　Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ　Ｏｖｅｒｓｈｏｏｔ　Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ　ｆｏｒ　ＤＣ－ＤＣ　Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒｓ［Ｊ］．ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　ｐｏｗｅｒ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，２０１３，２８（２）：８７７－８８５．　［２］ＲＩＢＥＩＲＯ　Ｅ．Ｆａｕｌｔ．Ｔｏｌｅｒａｎｔ　Ｓｔｒａｔｅｇｙ　ｆｏｒ　ａ　Ｐｈｏｔｏｖｏｈａｉｃ　ＤＣ－ＤＣ　Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ［Ｊ］．ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　ｐｏｗｅｒ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，２０１３，２８　（６）：３００８－３０１８．　［３］　ＳＨＡＨＢＡＺＩ　Ｍ，ＥＨＳＡＮ　Ｊ．Ｏｐｅｎ　ａｎｄ　Ｓｈｏｒｔ－Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｓｗｉｔｃｈ　Ｆａｕｌｔ　Ｄｉａｇｎｏｓｉｓ　ｆｏｒ　Ｎｏｎｉｓｏｌａｔｅｄ　ＤＣ－ＤＣ　Ｃｏｎｖｅｒｔｅ￣Ｕｓｉｎｇ　Ｆｉｅｌｄ　Ｐｒｏ－　ｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｇａｔｅ　Ａｒｒａｙ［Ｊ］．ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，２０１３，６０（９）：４１３６－４１４６．　［４］　陈维，郭必广．正弦逆变器输出短路过流保护设计［Ｊ］．科技信息，２００９，１７：６４－６５．　［５］马俊兴，孙汉卿．ＩＧＢＴ短路保护的驱动电路的设计［Ｊ］．通信技术，２００９，４２（１１）：２３５－２３７．　［６］李振民，刘世明，张锐．ＩＧＢＴ驱动及短路保护电路研究．［Ｊ］．电测与仪表，２００２，６：４８－５０．　［７］袁政，薛超耀，马任月，等．一种ＤＣ／ＤＣ转换器的短路保护电路设计［Ｊ］．电子科技，２０１３，２６（７）：７７＿７９．　［８］张文煜，刘立群，杨凯．基于ｚ源逆变器的两种控制策略对比研究［Ｊ］．太原科技大学学报，２０１４，３５（１）：２４．　Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｓｈｏｒｔ－Ｃｉｒｃｕｉｔｉｎｇ　Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　ａｎｄ　Ｄｒｉｖｉｎｇ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　ｆｏｒ　ＩＧＢＴ　ＺＨＡＯ　Ｘｉａｏ－ｂｏ　，ＬＩＵ　Ｌｉ－ｑｕｎ　，ＺＨＡＩ　Ｘｉａｏ・ｙｕ　，ＷＵ　Ｘｉａｎｇ－ｈｕｉ　，ＬＩＵ　Ｘｉａｏ　（１．Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ａｎｄ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｔａｉｙｕａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｔａｉｙｕａｎ　０３００２４，　Ｃｈｉｎａ；２．Ｓｔａｔｅ　Ｇｒｉｄ　Ｆｕｙａｎｇ　Ｃｉｔｙ　Ｃｈｅｎｇｊｉａｏ　Ｅｌｅｃｔｉｒｃ　Ｐｏｗｅｒ　Ｓｕｐｐｌｙ　Ｃｏｍｐａｎｙ，Ａｎｈｕｉ　Ｆｕｙａｎｇ　２３６０３３，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｏｕｇｈ　ａｎａｌｙｚｉｎｇ　ｔｈｅ　ｃａｕｓｅ　ｏｆ　ｌｏｓｉｎｇ　ｅｆｆｉｃａｃｙ　ｗｈｅｎ　ＩＧＢＴ　ｅｎｃｏｕｎｔｅｒｓ　ｓｈｏｒｔ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｆａｕｌｔ，ａｎ　ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ　ｗａｙ　ｗａｓ　ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ　ｔｏ　ａｖｏｉｄ　ＩＧＢＴ　ｔｏ　ｌｏｓｅ　ｅｆｆｉｃａｃｙ．Ｔｈｅｎ，ｅａｃｈ　ｐａｒｔ　ｆｕｎｃｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ＥＸＢ８４１　ｄｒｉｖｅ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｗｉｔｈ　ｓｈｏｒｔ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｐｒｏ—　ｔｅｃｔｉｏｎ　ｆｕｎｃｔｉｏｎ　ｗｅｒｅ　ｅｘｐｌａｉｎｅｄ．Ｌａｔｅｒ，ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｄｅｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ＥＸＢ８４１　ｄｒｉｖｅ　ｃｉｒｃｕｉｔ，ａｎ　ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｄｒｉｖｅ　ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｗａｓ　ｐｒｏｖｉｄ－　ｅｄ．Ｎｏｔ　ｏｎｌｙ　ｔｈｅ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｉｍｐｒｏｖｅｓ　ｔｈｅ　ｄｉｓａｄｖａｎｔａｇｅ　ｔｈａｔ　ｉｓ　ｃａｕｓｅｄ　ｂｙ　ｓｅｔｔｉｎｇ　ｕｐ　ｔｈｅ　ｓｔａｒｔｉｎｇ　ｐｏｉｎｔ　ｏｆ　ｏｖｅｒ－ｃｉｒｃｕｉｔ　ｐｒｏｔｅｅ－　ｔｉｏｎ　ｕｎｒｅａｓｏｎａｂｌｙ，ｂｕｔ　ａｌｓｏ　ｉｔ　ｉｎｃｒｅａｓｅｓ　ｄｅｌａｙ　ｂｌｏｃｋ　ｓｉｇｎａｌ　ｆｕｎｃｔｉｏｎ，ｗｈｉｃｈ　ｉＳ　ｒｅａｌｉｚｅｄ　ｔｏ　ｓｈｕｔ　ｏｆｆ　ＩＧＢＴ　ｓｏｆｔｌｙ　ａｎｄ　ａｖｏｉｄ　ｔｈｅ　ｄａｍａｇｅｓ　ｃａｕｓｅｄ　ｂｙ　ｈａｒｄ　ｔｕｒｎ－ｏｆｆ．Ｉｔ　ｐｒｏｖｉｄｅｄ　ａ　ｇｒｅａｔ　ｏｆ　ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ　ｖａｌｕｅｓ　ｔｏ　ｆｕｒｔｈｅｒ　ｉｍｐｒｏｖｅ　ＥＸＢ　ｄｒｉｖｅ　ｃｉｒｃｕｉｔ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ＩＧＢＴ，ｓｈｏｒｔ—ｃｉｒｃｕｉｔｉｎｇ　ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ，ｄｒｉｖｉｎｇ　ｃｉｒｃｕｉｔ，ｉｍｐｒｏｖｅ