专利名称：一种可控制备复合型纳米图纹阵列的方法专利类型：发明专利
发明人：温嘉红,赵晓宇,王雅新,张永军申请号：CN201910058713.6申请日：20190122公开号：CN109592635A公开日：20190409
摘要：本发明属于纳米复合材料合成技术领域，具体涉及一种可控制备复合型纳米图纹阵列的方法。在有序纳米图纹化结构模板表面溅射一层Ag膜后形成Ag纳米帽子阵列以及Ag纳米三角形阵列；再将Ag纳米帽子阵列倒置转移到另一个Si衬底上，得到二次模板；将PS小球完全刻蚀，得到Ag纳米碗阵列；对PS小球进行刻蚀不同时间，并在其表面溅射沉积一层TiO膜分别得到Ag‑TiO‑FON阵列、Ag‑TiO纳米帽‑星阵列以及Ag‑TiO纳米环‑粒子阵列。本发明克服了现有技术中的有序纳米结构活性基底的构筑步骤繁琐、有序性与致密度较低，同时制备周期长、费用昂贵、试验条件要求苛刻等缺陷，因而具有均匀性好、有序度高、可重复性强、构筑步骤简单、制备周期较短以及成本较低的优点。
申请人：杭州电子科技大学
地址：310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区
国籍：CN
代理机构：杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人：尉伟敏
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