专利名称：氧化铪或氧化锆镀层专利类型：发明专利发明人：M·谢勒
申请号：CN200980152495.7申请日：20090324公开号：CN102264940A公开日：20111130
摘要：本发明涉及光学镀层(3，3’)，所述镀层在可见光区至近紫外光区(即，直到220nm的波长)的光谱范围内具有高折射率和良好的光学特性(即，低吸收和散射)以及低的内应力。根据本发明的镀层(3，31)由含有铪或锆的氧化物HfSiO或ZrSiO组成，其硅含量(y)为1at-％至10at-％，特别地为1.5at-％至3at-％。
申请人：莱博德光学有限责任公司
地址：德国阿尔策瑙
国籍：DE
代理机构：北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人：郭广迅
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容