CA3140中文资料-引脚图及功能

CA3140中文资料-引脚图及功能之南宫帮珍创作

创作时间：二零二一年六月三十日

时间：2009-05-18 15:37:03 来源：资料室 作者：

CA3140高输入阻抗运算放年夜器,是美国无线电公司研制开发的一种BiMOS高电压的运算放年夜器在一片集成芯片上, 该CA3140A和CA3140 BiMOS运算放年夜器功能呵护MOSFET的栅极（PMOS上）中的晶体管输入电路提供非常高的输入阻抗, 极低输入电流和高速性能.把持电源电压从4V至36V（无论单或双电源),它结合了压电PMOS晶体管工艺和高电压双授晶体管的优点.(互补对称金属氧化物半导体)卓越性能的运放. 应用范围:

•单电源放年夜器在汽车和便携式仪表•采样坚持放年夜器•长期按时器•光电仪表•探测器•有源滤波器•比力器•TTL接口•所有标准运算放年夜器的应用•函数发生器•音调控制•电源•便携式仪器•入侵报警系统

图1 金属罐形封装及引脚图 图2 塑料封装 引脚功能表: 引脚功能 号 1 2 3 4 OFFSET NULL 偏置(调零端) INV. INPUT 反向输入端 NON-INV INPUT 同向输入端 V- 电源- 引脚号 5 6 7 8 功能 OFFSET NULL 偏置(调零端), OUTPUT输出 V+ 电源+ STROBE 选通端

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图3 CA3140内部方框图

图4 CA3140内部电路图

极限参数： 直流电源电压（V+和V -端子） 36V 差模输入电压 直流输入电压 8 最年夜存储温度范围 -65℃ to 150℃ 最年夜结温（塑料封装） 150℃ 175℃ (V+ +8V) To (V- -0.5V) 最年夜结温（金属罐封创作时间：二零二一年六月三十日

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装） 输入端电流 输出短路继续时间（注2 ） 1mA 无限期 温度范围 -55℃ to 125℃ 1. θJA is measured with the component mounted on an evaluation PC board in free air. 2. Short circuit may be applied to ground or to either supply. 电气规格 VSUPPLY =±15V, TA=25℃ PARAMETER 参数 SYMBOL TEST CONDITIONS 测试符号 条件 TYPICAL VALUES UNITS 典范值 单元 CA3140 C A3140A 18 1.5 4 60 48 40 12 40 18 4.5 9 220 0.08 10 4.5 1.4 kΩ TΩ pF Ω μV nV/√Hz nV/√Hz mA mA MHz V/μs μA μs % μs μs Input Offset Voltage Adjustment Resistor 输入失调电压调整电阻 Input Resistance 输入电阻 Input Capacitance 输入电容 Output Resistance 输出电阻 RI CI RO 4、5号端子或4、1号端子之间电阻典范值, 以调整最4.7 年夜失调电压 - - - BW = 140kHz, RS = 1MΩ RS = 100Ω 1.5 4 60 48 Equivalent Wideband Input Noise Voltage(宽带等效输入噪声电eN 压 Equivalent Input Noise Voltage等效输入噪声电压(见图35) Short Circuit Current to Opposite Supply 短路电流相反供应 Gain-Bandwidth Product 增益带宽-乘积(见图15, 30) Slew Rate,转换速率(见图31) eN f = 1kHz 40 f = 10kHz 12 40 18 4.5 9 220 上升时间 0.08 过冲电压 10 To 1mV 4.5 To 10mV 1.4 IOM+ Source 拉(电流) IOM- fT SR Sink灌电流 - - - RL=2kΩ CL=100pF RL=2kΩ CL=100pF电压跟随 Sink Current From Terminal 8 To Terminal 4 to Swing Output Low 端子8流入端子4的灌电流将输出酿成低电平 Transient Response Settling Time at 建立时间在10VP-P(见图7) tr OS tS 电气规格的设备设计VSUPPLY = ±15V, TA = 25℃ CA3140 数值 PARAMETER 参数 SYMBOL 符号 最小 典 范 - - - 5 0.5 10 CA3140A 数值 最年最小 典范 夜 15 - 30 - 50 - - 2 0.5 10 最UNITS 年单元 夜 5 mV 20 pA 40 pA - kV/V Input Offset Voltage输入失调|VIO| 电压 Input Offset Current输入失调|IIO| 电流 Input Current 输入电流 II Large Signal Voltage Gain年AOL 20 100 20 100 创作时间：二零二一年六月三十日

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夜信号电压增益(注3)(见图15, 29) Common Mode Rejection Ratio 共模抑制比(见图34) CMRR 86 100 - 32 70 90 - - 86 100 32 70 90 - - dB dB 320 - 320 μ V/V Common Mode Input Voltage Range共模输入电压范围(见图VICR 16A 16B) Power-Supply Rejection Ratio, ΔVIO/ΔVS 电源抑制比(见图36 ) PSRR --15 11 -15 -15.5to+12.5 12 V 15.5to+12.5 - 100 150 - - - - 100 150 μ V/V - - - dB V V 76 80 76 80 +12 1 3 -14 -14.4 4 120 6 3 Max Output Voltage 最年夜输VOM+ +12 1出电压(注4)(见图2, 16A 16B) VOM- -14 -14.4 Supply Current电源电流(见图I+ 32) Device Dissipation 耗散功率 PD - - 4 120 8 6 - 180 - - - 6 mA 180 m W - μV/℃ Input Offset Voltage Temperature Drift 输入失调电ΔVIO/ΔT - 压温度漂移 3. At Vo = 26VP-P, +12V, -14V and RL = 2kΩ. 创作时间：二零二一年六月三十日

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