专利名称：图案、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法专利类型：发明专利
发明人：周俊卿,孟晓莹,张海洋申请号：CN201110261499.8申请日：20110906公开号：CN102983065A公开日：20130320
摘要：本发明公开一种图案形成方法、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该图案形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成包括嵌段共聚物的聚合物薄膜，其中构成嵌段共聚物的组分彼此之间不混溶；通过压模压印聚合物薄膜形成第一图案；对第一图案内的共聚物进行定向自组装形成分别由共聚物的不同组分组成的域；选择性地去除共聚物的组分组成的域以形成第二图案。本发明的实施例中，将压印技术与DSA工艺结合，获得更精细的节距图案，上述过程不需要曝光，和现有技术相比具有工艺简单的优点。此外，压印所用的压模可以具有相对宽的节距，使得压模容易制造和对准。
申请人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
国籍：CN
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：孙宝海
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