专利名称：纳米结构半导体发光器件专利类型：发明专利
发明人：徐软瑀,金定燮,崔荣进,丹尼斯·桑尼科夫,成汉珪,千
大明,许在赫
申请号：CN201480065440.3申请日：20141030公开号：CN105765741A公开日：20160713
摘要：本发明的一个实施例提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：基础层，其由第一导电类型的半导体构成；绝缘层，其形成在基础层上并且具有暴露出基础层的部分区域的多个开口；纳米核，其形成在基础层的暴露的区域中的每一个上，由第一导电类型的半导体构成，并且具有晶面与其侧表面的晶面不同的上端部分；在纳米核的表面上接连形成的有源层和第二导电类型的半导体层；以及电流阻挡中间层，其形成在纳米核的上端部分上，以位于有源层与纳米核之间。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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