一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈

（12）实用新型专利

（21）申请号 CN200920277758.4 （22）申请日 2009.12.08

（71）申请人 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司

地址 100088 北京市新街口外大街2号

（10）申请公布号 CN201545933U

（43）申请公布日 2010.08.11

（72）发明人 韩海建;梁书正;梁开金;闫志瑞;谷宇恒 （74）专利代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司

代理人 郭佩兰

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈

（57）摘要

一种区熔法生长单晶硅用高频加热线

圈，它包括：线圈主体及在主体上的金属块，线圈主体为普通的平板线圈，所述的金属块可为铜金属块，铜金属块可通过销钉或螺丝与主体固定。本实用新型的优点是：在单晶生长过程中，平板线圈上的铜金属块对磁场有改善效果，铜金属块周围磁力线会受到铜金属块的抬升作用，同时使得铜金属块周围和线圈边缘处的磁力线密度增加，可以对多晶棒边缘更好的加热，从而防止多晶棒边缘处出刺。

法律状态

法律状态公告日

2010-08-11 2010-08-11 2012-03-14 2012-03-14 2014-06-25 2014-06-25 2015-06-03 2015-06-03 2015-07-29 2015-07-29 2019-12-31

法律状态信息

授权 授权

专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 专利权的终止

法律状态

授权 授权

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权利要求说明书

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说明书

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