专利名称：具有屏蔽栅沟槽结构的半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：沈新林,任洪,陈一,丛茂杰申请号：CN202011379173.0申请日：20201130公开号：CN112509979A公开日：20210316
摘要：本发明提供了一种具有屏蔽栅沟槽的半导体器件及其制造方法，先回刻蚀场氧化层，暴露出核心区屏蔽栅上方的沟槽的侧壁，然后通过热氧化工艺在核心区的沟槽中一步形成栅间氧化层和栅氧化层，且该热氧化工艺还能在终端区的沟槽中同步形成氧化覆盖层和缝隙，之后在通过多晶硅沉积和回刻蚀形成核心区的多晶硅栅之后，所述缝隙中产生多晶硅残留，再通过光刻和刻蚀工艺去除终端区的缝隙中的多晶硅残留，由此，可以保证终端区的器件性能。
申请人：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
地址：312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹廷廷
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