（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN200480043464.5 （22）申请日 2004.07.07 （71）申请人 LS电线有限公司
地址 韩国首尔
（10）申请公布号 CN1976878B （43）申请公布日 2010.08.18
（72）发明人 李赞柱;张基完;徐永范
（74）专利代理机构 北京三友知识产权代理有限公司
代理人 丁香兰
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
低衰减光纤及其在MCVD中的制造方法
（57）摘要
本发明披露了一种低衰减光纤及其在
MCVD中的制造方法，所述光纤为低衰减单模光纤，所述光纤具有光电导芯和包层，并且在MFD(模场直径)区内显示出非常低的OH浓度。所述光纤包括配置在其中心用于光电导的芯，和依次被覆于所述芯上的脱水包层和基体包层。脱水包层的折射率与基体包层的折射率基本相同。芯的折射率比脱水包层和基体包层的折射率大。脱水包层与基体包层相比具有相对较低的OH浓度。由芯和脱水包层构成的区域具有OH浓度小于0.8ppb的
MFD区。 法律状态
法律状态公告日
2007-06-06 2007-08-01 2010-08-18 2014-08-27
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权 专利权的终止
法律状态
公开
实质审查的生效 授权 专利权的终止
权利要求说明书
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说明书
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