（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN201010132444.2 （22）申请日 2010.03.22
（71）申请人 浙江正邦电力电子有限公司
地址 321400 浙江省缙云县五东工业区浙江正邦电力电子有限公司
（10）申请公布号 CN101789382B
（43）申请公布日 2011.07.20
（72）发明人 项卫光;徐伟
（74）专利代理机构 永康市联缙专利事务所(普通合伙)
代理人 柯利进
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法
（57）摘要
本发明涉及一种钛镍银多层金属电力
半导体器件电极的制备方法，其先用真空电子束蒸发方式按序分别将钛镍银三种金属沉积在硅片的电极面上，然后用烧结炉将所述硅片在真空高温下形成高性能的钛镍银多层金属电极，它稳定性强，导电性好，使用寿命高，并能增加器件的通态能力和可靠性。 法律状态
法律状态公告日
2010-07-28 2010-09-22
公开
实质审查的生效
法律状态信息
公开
法律状态
实质审查的生效
法律状态公告日
2011-07-20
授权
法律状态信息
授权
法律状态
权利要求说明书
钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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