专利名称:一种连续式半导体蚀刻设备专利类型:实用新型专利发明人:廖海涛
申请号:CN202021083124.8申请日:20200612公开号:CN212412002U公开日:20210126
摘要:本实用新型公开了一种连续式半导体蚀刻设备,涉及到半导体蚀刻设备领域,包括装置本体,装置本体的一侧设有电气控制柜、装置本体上设有装置门,装置门上设有玻璃,装置本体的底侧内壁设有废液收集盒,装置本体的底侧内壁设有加热器。本实用新型结构合理,通过设置加热器和搅拌器,使得蚀刻液温度保持合适温度和蚀刻液搅拌均匀保持合适浓度,提高了蚀刻的速率,单线设置两个半导体蚀刻,提高了蚀刻速度,通过设置纵板和挡板,避免蚀刻液飞溅到其它半导体上,通过设置加热箱和风扇,对半导体表面进行主吹干,通过设置空气滤清器,过滤空气中的杂质,避免半导体被空气中的杂质污染而影响使用功能。
申请人:江苏邑文微电子科技有限公司
地址:226000 江苏省南通市如东县掘港街道金山路1号
国籍:CN
代理机构:北京商专润文专利代理事务所(普通合伙)
代理人:朱建
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