专利名称:静电放电自保护电路专利类型:实用新型专利发明人:周阿铖,曾正球申请号:CN201821283360.7申请日:20180810公开号:CN208539870U公开日:20190222
摘要:一种静电放电自保护电路,包括集成功率管单元,集成功率管单元包括功率管NM1,功率管NM1为N沟道MOS管,由若干个单位MOS管并联构成,功率管NM1的漏极引出作为集成功率管单元的漏极引脚,功率管NM1的源极引出作为集成功率管单元的接地引脚GND,还包括辅助触发电路,所述辅助触发电路,连接在功率管NM1的漏极与栅极之间,当功率管的漏极引脚发生ESD事件时,辅助触发电路辅助触发功率管NM1的导通,用以通过复用功率管NM1本身的导通通路作为静电放电的主泄放路径。本实用新型通过利用MOS管本身的导通通路来泄放电流,以此解决现有技术中触发点调节不灵活、对芯片面积花费大和触发不均匀的问题。
申请人:深圳南云微电子有限公司,广州金升阳科技有限公司
地址:518110 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙翔大道9009号珠江广场A3栋8G单元
国籍:CN
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