专利名称：碳纳米管负载二维共价有机框架电极材料的制备方
法
专利类型：发明专利
发明人：王勇,孙炜伟,吕丽萍,赵露,曹莹楠申请号：CN202010527910.0申请日：20200611公开号：CN111848892A公开日：20201030
摘要：本发明公开了一种碳纳米管负载二维共价有机框架电极材料的制备方法，通过二维共价有机框架在碳纳米管表面生长得到的，相比于单纯的晶面距离为不大于0.35nm的二维共价有机框架，本发明制备的复合物中碳纳米管外覆盖的薄层二维共价有机框架的厚度为不大于5nm。本发明的碳纳米管负载二维共价有机框架电极材料不仅具有较大的比表面积，能够提供更多的嵌锂位点，并且由重复的锂插入引起的逐渐的层间间距扩展，有效地提高了碳纳米管负载二维共价有机框架电极材料的锂离子循环性能。同时该复合材料制备工艺反应时间短，对设备要求低，具有良好的前景。
申请人：上海大学
地址：200444 上海市宝山区上大路99号
国籍：CN
代理机构：上海上大专利事务所(普通合伙)
代理人：顾勇华
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