专利名称：一种去除硅片表面杂质的方法专利类型：发明专利
发明人：杨福山,叶淳超,夏恒军申请号：CN201010214616.0申请日：20100630公开号：CN101875048A公开日：20101103
摘要：本发明公开了一种去除硅片表面杂质的方法，将硅片放入密闭容器中，在密闭容器中使用紫外线灯照射；在密闭容器中通入臭氧，温度20～50℃，时间不少于60s，使硅片的表面生成氧化层；将密闭的容器中通入碱液超声洗不少于200s，温度是0～50℃；将表面活性剂通入密闭容器超声洗不少于200s，温度是0～50℃；将硅片用纯水超声洗不少于200s，温度是0～50℃；硅片用无水乙醇洗后烘干成品。本发明在处理过程中不会对硅片造成损害，操作便捷，设备简单。
申请人：国电光伏(江苏)有限公司
地址：214213 江苏省宜兴市经济开发区凯旋路25号
国籍：CN
代理机构：南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人：柏尚春
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