专利名称：一种将硅与杂质进行分离的方法专利类型：发明专利发明人：丁俊,尚召华,何亮申请号：CN201010158893.4申请日：20100428公开号：CN101837348A公开日：20100922
摘要：本发明涉及光伏或半导体领域中一种将硅和杂质进行分离的方法，采用造渣、扒渣的方法来分离硅中的碳化硅或氮化硅杂质，其操作步骤为：将混有杂质的硅料加热至硅液状态；向混有杂质的硅液中加入造渣剂，造渣剂与杂质反应；造渣剂与杂质反应后形成的反应物和残留的各种杂质分布在上层形成渣层，硅液分布在下层，对位于硅液上层的渣层进行扒渣，使得渣层与硅液分开，完成硅与杂质的分离；本发明能够实现硅与碳化硅或氮化硅杂质的分离，分离得到的硅料可以作为光伏电池的原材料进行再利用，同时本发明适用于批量处理，降低了分离硅中的杂质所需的处理周期。
申请人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
地址：338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室
国籍：CN
代理机构：江西省专利事务所
代理人：杨志宇
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