专利名称：半导体晶片测量装置和方法专利类型：发明专利发明人：肯尼思·斯蒂普莱斯申请号：CN200680008385.X申请日：20060314公开号：CN101142475A公开日：20080312
摘要：本发明涉及度量方法的用途以及本文中公开的相关装置，所述装置包括热处理设备，还涉及改进缺陷检测的方法。具体地，本发明还涉及对半导体晶片进行热处理的方法，从而加速间隙缺陷的迁移，同时基本上不改变空位缺陷。
申请人：QC塞路斯公司
地址：美国马萨诸塞州
国籍：US
代理机构：北京明和龙知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容