您的当前位置:首页正文

电镀半导体晶片的设备及方法

2021-02-26 来源:好走旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN200510080996.2 (22)申请日 2005.06.30 (71)申请人 兰姆研究有限公司

地址 美国加利福尼亚州

(10)申请公布号 CN1728347A (43)申请公布日 2006.02.01

(72)发明人 Y·N·多尔迪;F·C·雷德克;J·M·博伊德;R·马拉彻欣;C·伍兹 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公司

代理人 张雪梅

(51)Int.CI

H01L21/3205; C25D3/00; C25D3/38; C25D7/12; C25D5/00;

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

电镀半导体晶片的设备及方法

(57)摘要

提供了一种用于电镀晶片表面的电镀设

备。能够给晶片电气充电作为阴极。电镀设备包括电镀头,该电镀头能够位于晶片表面的上方或

下面且能够被电气充电作为阳极。当晶片和电镀头被充电时,该电镀头能够在晶片的表面和电镀头之间进行金属电镀。该电镀头进一步包括:电压传感器对,其能够读取存在于电镀头和晶片的表面之间的电压,以及控制器,其能够接收来自电压传感器对的数据。当电镀头放置在晶片表面上方的位置时,控制器使用来自电压传感器对的数据来保持由阳极施加的基本恒定的电压。还提供了一种晶片的电镀方法。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2006-02-01 公开

2007-06-27 实质审查的生效 2011-05-11

授权

法律状态

公开

实质审查的生效 授权

权利要求说明书

电镀半导体晶片的设备及方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

电镀半导体晶片的设备及方法的说明书内容是....请下载后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容