白光LED用碱土金属硅酸盐荧光粉的光谱性质

第２９卷第５期　发　光　学　报　ＣＨＩＮＥＳＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ　Ｖ０１．２９　Ｎｏ．５　２００８年１０月　Ｏｃｔ．，２００８　文章编号：１０００—７０３２（２００８　Ｊ　０５－０８００－０５　白光ＬＥＤ用碱土金属硅酸盐荧光粉的光谱性质　杨　翼　，金尚忠　，沈常宇　，唐寅宣　，明江洲　（１．中国计量学院现代计量测试技术及仪器浙江省重点实验室，浙江杭州２．杭州大明荧光材料有限公司，浙江杭州３１１２００）　３１００１８；　摘要：采用固相法合成了Ａ：（ＳｒＢａ）３ＳｉＯ５：０．０２４Ｃｅ¨，０．０２４Ｌｉ　；Ｂ：Ｓｒｚ．７３Ｍｏ　２ＳｉＯ５：０．０７Ｅｕ“（Ｍ＝Ｂａ，Ｍｇ，　Ｃａ）；Ｃ：（ＳｒＢａ）　ＳｉＯ　：ｘＥｕ　三个系列的硅酸盐荧光粉。测量了它们的激发光谱和发射光谱。ｃｅ“激活的硅　酸盐荧光粉（Ａ系列）有３５ｌ，４１８　ｎｍ两个激发峰，４１８　ｎｍ这个峰较强。随着Ｂａ离子含量的增加，发射光谱峰　值波长出现了红移。因此，改变Ｂａ离子的含量，可以改变荧光粉的发射峰值波长，进而调整白光ＬＥＤ的色坐　标和显色指数等指标。Ｅｕ　激活的硅酸盐荧光粉（Ｂ，Ｃ系列）激发光谱是从３５０～４５０　ｎｍ的宽带激发。Ｃｅ“　激活的荧光粉发射峰波长要比Ｅｕ　激活的短，在５４０～５５５　ｎｍ左右，而Ｅｕ“激活的发射峰波长在５７０～５８３　ｎｍ范围。在ｓｒ２　３Ｍｏ．２ＳｉＯ　：０．０７Ｅｕ　系列（Ｂ）中，Ｍ取Ｂａ时效果较好。在（ＳｒＢａ）３ＳｉＯ　：ｘＥｕ“系列（Ｃ）中，　取不同值发射光谱的峰值波长和半峰全宽有所变化，但是变化的规律不是很明显。用这两种元素作为激活　剂的硅酸盐荧光粉均比较适合用于近紫外、紫外和蓝光芯片封装白光ＬＥＤ。在Ｓｒ３ＳｉＯ　：Ｃｅ”，“　和Ｓｒ３ＳｉＯ　：　Ｅｕ　中掺入Ｂａ可以使发射峰红移。　关键词：白光ＬＥＤ；硅酸盐；荧光粉　ＰＡＣＣ：７８５５　文献标识码：Ａ　中图分类号：０４８２．３１　１　引　言　或者４６０　ｎｍ的ＬＥＤ芯片激发这种荧光粉可以得　到白光ＬＥＤ。用它和蓝光芯片封装得到的白光　ＬＥＤ效率为３１．７　ｌⅡ　ｗ，Ｒ　＝８１，Ｔｏ＝６　８５７　Ｋ，　色坐标为（　，Ｙ）＝（０．３０８　６，０．３１６　７）。本文在　此基础上用少量的Ｂａ来取代Ｓｒ３ＳｉＯ　中的ｓｒ，发　现随着Ｂａ掺杂含量的增加发射峰值红移，由　５４１．１２ｎｍ红移到５５３．７５　Ｉｌｍ。此外，Ｊｏｕｎｇ　Ｋｙｕ　白光ＬＥＤ由于具有传统光源所不具备的多　种优点，如长寿命、节电、可调光控制、耐振动、低　电压驱动，以及不会造成环境污染等，因此现在用　途越来越广…。目前最成熟的白光ＬＥＤ是用蓝　光ＬＥＤ激发黄光荧光粉发光，混合产生白光；此　外还可用紫光或近紫外ＬＥＤ去激发红、绿、蓝三　种荧光粉产生白光ｌ２　Ｊ。适合于蓝光激发的　ＹＡＧ荧光粉是比较成熟的一种荧光粉，第一款商　用白光ＬＥＤ就是日本日亚公司用蓝光芯片和　Ｐａｒｋ等　报道了在Ｓｒ３ＳｉＯ５：Ｅｕ中用Ｂａ部分取　代ｓｒ可以使发射光谱红移。本文在此基础上研　究了用不同碱土金属来取代ｓｒ的效果。此外，本　文还研究了在（ＳｒＢａ）。ＳｉＯ　基质中掺杂不同含量　的Ｅｕ对发射强度的影响。·　ＹＡＧ封装得到。不过显色指数不高，严格的来说　是不符合照明标准的。近年来，也有很多关于氮　化物荧光粉的报道Ｌ８　，这类荧光粉合成条件较　为苛刻，需要在高温高压下才能合成。此外，人们　又研究出了较为容易合成的硅酸盐系列的荧光　２　实　验　用高温固相法合成这类荧光粉。实验所用的　试剂为ＳｒＣＯ３（Ａ．Ｒ．），Ｌｉ：ＣＯ　（Ａ．Ｒ．），ＭｇＯ（Ａ．　Ｒ．），ＣａＣＯ３（Ａ．Ｒ．），ＢａＣＯ３（Ａ．Ｒ．），ＳｉＯ２（Ａ．　粉　Ｊ　。不过目前相关的报道并不是很多，还可　以做进一步的研究。Ｈｏ　Ｓｅｏｎｇ　Ｊａｎｇ等¨　报道了　Ｒ．），Ｅｕ　Ｏ　（９９．９９％），ＣｅＯ２（Ａ．Ｒ．）。实验设计　成分为：Ａ：（ＳｒＢａ）３ＳｉＯ５：０．０２４Ｃｅ¨，０．０２４Ｌｉ　；　种Ｓｒ３ＳｉＯ　－Ｃｅ¨，Ｌｉ　黄色荧光粉。用４０５　ｎｍ　收稿日期：２００７．１２—１８；修订日期：２００８－０１－２０　基金项目：浙江省科技厅资助项目（２００５Ｃ１　１０７７，２００６Ｃ１　１００３－２）　作者简介：杨翼（１９８４一），男，广西桂林人，主要从事稀土发光材料的研究。　｝：通讯联系人；Ｅ—ｍａｉｌ：ｊｉｎｓｚ＠ｅｊｌｕ．ｅｄｕ．ｃａ　第５期　杨翼，等：自光ＬＥＤ用碱土金属硅酸盐荧光粉的光谱性质８０１　Ｂ：Ｓｒ２　７３　２ＳｉＯ５：０．０７Ｅｕ“（Ｍ＝Ｂａ，Ｍｇ，Ｃａ）；Ｃ：　（ＳｒＢａ）　ＳｉＯ　：ｘＥｕ“。按化学计量比精确称量上　述原料，充分混合均匀，放入还原性气氛的高温炉　中１　３６０　ｏＣ灼烧２　ｈ。还原性气氛为Ｈ　（１０％）／Ｎ２。　所得的烧结物用玛瑙研钵研磨成粉末，过筛后再　经过水洗除杂等工序得到成品。所得样品的激发　光谱和发射光谱用Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ－３荧光光谱仪测量。　３结果与讨论　３．１样品Ａ系列　图１　Ｓｒ３一　Ｂａ￣ＳｉＯ５：０．０２４Ｃｅ”，０．０２４Ｌｉ　的激发光谱（　为：Ａ１—０．０５；Ａ２—０．１５；Ａ３—０．２５；Ａ４—０．３５）（监　样品Ａ系列是用ｃｅ¨激活的硅酸盐。在　控５４５　ｎｍ）　Ｓｒ３ＳｉＯ　：Ｃｅ¨Ｌｉ　的基础上掺人少量的Ｂａ离子，　Ｆｉｇ．１　Ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　Ｓｒ３Ｂａ，ＳｉＯ５：０．０２４Ｃｅ　，　以此来研究少量Ｂａ离子取代ｓｒ离子对样品光谱　０．０２４Ｌｉ　（　：Ａ１—０．０５；Ａ２—０．１５；Ａ３—０．２５；　特征的影响。它的分子式可以写为ｓｒ　一　Ｂａ　ＳｉＯ　：　Ａ４—０．３５）（Ａ。　＝５４５　Ｉｌｍ）．　０．０２４Ｃｅ¨０．０２４Ｌｉ　（　的含量分别为：ＡＩ一　０．０５；Ａ２—０．１５；Ａ３—０．２５；Ａ４—０．３５）。４种样　品的激发光谱如图１所示，监测波长为５４５　ａｍ。　由它们的激发光谱可以看出样品Ａ有两个激发　峰值，分别为３５１，４１８　ａｍ附近。这两个峰分别属　于４ｆ　Ｄ５／２（３５１　ｒｉｍ）和４ｆ　Ｄ３／２（４１８　ｒｉｍ）跃迁。　其中３５１　ｎｍ这个峰较低，４１８　ｉｌｍ这个峰较高。　这两个峰的半峰全宽均比较宽。这可能是由于在　４８６　５１８　５５０　５８２　６１４　６４６　６７８　７１Ｏ　７４２　常温下晶体中的ｃｅ¨离子的　Ｄ　，　和　Ｄ　这两个　Ａ／ｎｍ　能带均比较宽。此外，４ｆ能级含有　Ｆ　和　Ｆ　两　图２　Ｓｒ３一Ｂａ　ＳｉＯ５：０．０２４Ｃｅ　，０．０２４Ｌｉ　的发射光谱（　个次能级也可能是原因之一。４种样品的主激发　分另Ⅱ为：Ａ１—０．０５；Ａ２—０．１５；Ａ３—０．２５；Ａ４—　峰值分别为：Ａ１（４１６　ｎｍ），Ａ２（４１８　ａｍ），Ａ３（４１８　０．３５）（４６０　ａｍ激发）　ｎｍ），Ａ４（４１８　ｎｍ）。总的来看，掺入不同含量的　Ｆｉｇ．２　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　Ｓｒ３Ｂａ￣ＳｉＯ５：０．０２４Ｃｅ　，０．０２４　Ｂａ离子并没有明显的影响样品的激发光谱。　Ｌｉ　（　：Ａｌ一０．０５；Ａ２—０．Ｉ５；ｔｋ３—０．２５；Ａ４—　４种样品的发射光谱如图２所示，激发波长　０．３５，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ）（Ａ。　＝４６０　ａｍ）．　为４６０　ａｍ。由图２可见，４种样品的发射为峰值　值波长，进而可以调整白光ＬＥＤ的色坐标和显色　分别位于５４０—５５５　ａｍ左右的黄绿光宽带发射。　指数等指标。　这是由　Ｄ，　－－－＋４ｆ（　Ｆ　和　Ｆ　：）能级跃迁得到的。　３．２样品Ｂ系列　发射谱带宽较宽，这对于用来封装白光ＬＥＤ是有　样品Ｂ系列是用Ｅｕ“激活的硅酸盐。在　利的。选取合适范围的光谱数据对４种样品的发　Ｓｒ，ＳｉＯ　基质中用少量其它碱土金属元素取代ｓｒ，　射光谱进行高斯拟合得到了４种样品的发射峰值　得到不同的样品。样品Ｂ系列的分子式可以写　分别为：Ａ１（５４１．１　ａｎ１），Ａ２（５４５．５　ａｍ），Ａ３　为Ｓｒ２．７３眠．２　ＳｉＯ５：０．０７Ｅｕ“（　Ｍ＝Ｂａ（Ｂ１），Ｍｇ　（５５０．５　ｎｍ），Ａ４（５５３．８　ｎｍ）。４种样品的半峰全　（Ｂ２），Ｃａ（Ｂ３））。３种样品的激发光谱如图３所　宽分别为：Ａ１（７９．１　ｒｉｍ），Ａ２（７７．６　ｎｍ），Ａ３（８０．４　示，监测波长为５７０／ｌｍ。３种样品的激发光谱都　ｎｍ），Ａ４（８９．３　ａｍ）。由此可见，随着Ｂａ离子含　比较宽，从３４０—４５０　ｎｍ范围都有较强的激发。　量的增加，发射光谱峰值波长出现了红移，由５４０　很适合用于近紫外和蓝光ＬＥＤ芯片封装白光　ｎｍ红移到了５５０　ｎｍ左右，带宽也有所增加。因　ＬＥＤ。样品Ｂｌ和样品Ｂ２的激发峰值有两个，分　此，改变Ｂａ离子的含量，可以调节发射光谱的峰　别为３６７，４１５　ａｍ左右，而样品Ｂ３在４１５　ａｍ处的　发　光　学　报　第２９卷　峰值已经很弱了，几乎看不出。此外，样品Ｂ１在　４７０　ａｍ左右的地方还有一个不明显的峰值。样品　显向红波方向移动。３种样品的发射半峰全宽　相近。　３．３样品Ｃ系列　Ｂｌ在４１５　Ｉｌｍ处的峰值要比３６７　ｎｍ处的峰值高，而　样品Ｂ２在４１５　ａｍ处的峰值要低于３６７　ｎｍ处的峰　值。ｊ比夕卜，样品Ｂ３在４８０　ｎｍ以上已经基本上没什　样品ｃ系列是在（ＳｒＢａ）　ＳｉＯ　基质中掺人不　同含量的Ｅｕ。它们的分子式可以写为（Ｓｒ－　Ｓａ）３ＳｉＯ５：ｘＥｕ“（　＝０．０５（Ｃ１），０．０７（Ｂ１），０．Ｏ９　么激发了，效果仅相当于３７０　ｎｍ峰值处的１／１０。而　样品Ｂ１在４８０　ｎｌＴＩ处还有部分的激发，效果大约还　（Ｃ２），０．１ｌ（ｃ３））。其中，Ｂｌ的成分与ｃ系列一　有峰值处的一半。可见，在ｓｒ２．　ｍｏ．：ＳｉＯ　：０．０７Ｅｕｎ　系列中，　取Ｂａ时效果较好。　Ａ／ｎｌｎ　图３　Ｓｔ２刀Ｍｏ　２ＳｉＯ５：０．０７Ｅｕ　（肘＝Ｂａ（Ｂ１），Ｍｇ（Ｂ２），Ｃａ　（Ｂ３））的激发光谱（监控５７０　ａｍ）　Ｆｉｇ．３　Ｅ￣，ｅｉｔａｔｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆＳｔ２　７３　２ＳｉＯ５．ｕ｜０　０７Ｅａ　（Ｍ＝　Ｂａ（Ｂ１），Ｍｇ（Ｂ２），Ｃａ（Ｂ３））（Ａ。　＝５７０　ａｍ）．　３种样品的发射光谱如图４所示，激发波长　为４６０　ａｍ。由图可以看出，３种样品均发射光谱　较宽的橙黄光。用高斯曲线拟合可以得到：样品　Ｂｌ的发射峰值波长为５８３．１　ｎｎｌ，半峰全宽为　６２．４　ａｍ；样品．Ｂ２的发射峰值波长为５７１．２　ｎｍ，　半峰全宽为６２．０　ｎｍ；样品Ｂ３的发射峰值波长为　５７１．５　ｎｍ，半峰全宽为７５．６　ａｍ。可见，Ｂ２和Ｂ３　的发射峰波长几乎相同，而Ｂ１的发射峰波长则明　Ａ／ｎｍ　图４　Ｓｒ２７３Ｍ０　２ＳｉＯ５：０．０７Ｅｕ　（Ｍ＝Ｂａ（Ｂ１），Ｍｇ（Ｂ２），Ｃａ　（Ｂ３））的发射光谱（４６０　ａｍ激发）　Ｆｉｇ．４　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　Ｓｒ２　７３Ｍｏ２ＳｉＯ５：０．０７Ｅｕ　（Ｍ＝　Ｂａ（ＢＩ），Ｍｇ（Ｂ２），Ｃａ（Ｂ３））（Ａ　＝４６０　ｎｍ）．　样，只是Ｅｕ　含量不同。Ｂ１中Ｅｕ　的含量为　０．０７　ｔｏｏｌ。图５是样品ｃ系列的激发光谱，监测波长　为５７０　ｎｍ。它的激发光谱与样品Ｂｌ相似（实际上样　品Ｂ１也是样品ｃ系列的一种）。在基质中掺杂不同　含量的稀土元素，它的发光强度会有所变化。通常　都是先随稀土离子含量的增加而增加，随后又开始　降低，这是由于激活剂饱和效应引起的。　图６是样品ｃ系列的发射光谱，激发波长为　４６０　ｎｍ。样品ｃｌ的发射峰值波长为５８０．７　ｌｌｍ，　Ａ，ａｍ　图５（ＳｒＢａ）３ｓｉ０５：ｘＥｕ　（　＝０．０５（Ｃ１），０．０７（Ｂ１），０．０９　（Ｃ２），０．１１（Ｃ３））的激发光谱（监控５７０　ｎｍ）　Ｆｉｇ．５　Ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ（ＳｒＢａ）３ＳｉＯ５：ｘＥｕ“（　：０．０５　（Ｃ１），０．０７（Ｂ１），０．０９（Ｃ２），０．１ｌ（Ｃ３））（Ａ　＝　５７０　ｎｍ）．　＾／ｎｍ　图６　（ＳｒＢａ）３ＳｉＯ５：ｘＥｕ　（　＝０．０５（Ｃ１），０．０７（Ｂ１），　０．０９（Ｃ２），０．１１（Ｃ３））的发射光谱（４６０　ａｍ激发）　Ｆｉｇ．６　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ（ＳｒＢａ）３ＳｉＯ５：ｘＥｕ“（　＝０．０５　（Ｃ１），０．０７（Ｂ１），０．０９（Ｃ２），０．１１（Ｃ３））（Ａ　：　４６０　ｎｍ）．　第５期　杨翼，等：白光ＬＥＤ用碱土金属硅酸盐荧光粉的光谱性质　半峰全宽为６９．７　Ｂｉｌｌ；Ｂ１的发射峰值波长为　５８３．１　ａｍ，半峰全宽为６２．４　ｎｍ；样品ｃ２的发射　峰值波长为５６９．７　ｎｍ，半峰全宽为７５．１　Ｆｉｎ；样品　激活的荧光粉发射峰波长要比Ｅｕ“激活的短，在　５４０～５５５　Ｆｉｎ左右，而Ｅｕ。　激活的发射峰波长在　５７０～５８３　Ｆｉｎ范围。用这两种元素作为激活剂的　ｃ３的发射峰值波长为５７４．０　Ｈｉｌ，半峰全宽为　７３．６　ｎｍ。发射光谱的峰值波长和半峰全宽有所　变化，但是变化的规律不是很明显。　硅酸盐荧光粉均比较适合用近紫外，紫外和蓝光　芯片封装白光ＬＥＤ。　样品Ｂ系列是在Ｓｒ　ＳｉＯ　基质中掺人少量　４　结　论　Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ。结果发现在Ｓｒ２７３Ｍ０ＳｉＯ５：０．０７Ｅｕ“　２系列中，　取Ｂａ时效果较好。样品Ａ系列是在　采用固相法合成了Ａ、Ｂ、Ｃ三个系列的硅酸　Ｓｒ　ＳｉＯ　基质中掺人不同含量的Ｂａ，发现随着所　盐荧光粉。其中，Ａ系列是用ｃｅ作为激活剂，Ｂ　掺Ｂａ含量的增加发射峰红移，由５４１．１２　ａｍ红移　和Ｃ系列是用Ｅｕ作激活剂。用ｃｅ¨激发的硅酸　到５５３．７５　ｎｍ。样品ｃ系列是在（ＳｒＢａ）。ＳｉＯ　基　盐荧光粉有３５１，４１８　ｒｉｍ两个激发峰值，４ｌ８　ｒｉｍ　质中掺人不同含量的Ｅｕ，结果表明发射光谱的峰　这个峰值较强。Ｅｕ　激活的硅酸盐荧光粉（Ｂ，ｃ　值波长和半峰全宽有所变化，但是变化的规律不　系列）激发光谱是３５０￣４５０　ｎｍ的宽带激发。ｃｅ¨　是很明显。　参考文献：　［Ｉ］Ｎａｋａｍｕｒａ　Ｓ，Ｍｕｋａｉ　Ｔ，Ｓｅｎｃｈ　Ｍ．Ｃａｎｄｅｌａ—ｃｌａｓｓ　ｈｉｇｈ—ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ　ＩｎＧａＮ／Ａ１ＧａＮ　ｄｏｕｂｌｅ—ｈｅｔｅｒｏ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｂｌｕｅ－ｌｉｇｈｔ·ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９９４，６４（１３）：１６８７—１６８９．　［２］Ｓｕｎ　Ｘｉａｏｙｕａｎ，Ｚｈａｎｇ　Ｊｉａｈｕａ，Ｚｈａｎｇ　Ｘｉａ，ｅｔ　ａ１．Ａ　ｓｉｎｇｌｅ　ｗｈｉｔｅ　ｐｈｏｓｐｈｏｒ　ｓｕｉｔａｂｌｅ　ｆｏｒ　ｎｅａｒ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ　ａｐｐｌｉｅｄ　ｔｏ　ｎｅｗ　ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　ｗｈｉｔｅ　ＬＥＤ　ｌｉｇｈｔｉｎｇ［Ｊ］．Ｃｈｉｎ．　Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２００５，２６（３）：４０４－４０６（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）．　［３］Ｓｈｅｕ　Ｊ　Ｋ，　Ｃｈａｎｇ　Ｓ　Ｊ，Ｓｒｉｖａｓｔａｖａ　Ａ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｗｈｉｔｅ—ｌｉｈｇｔ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｆｒｏｍ　ｎｅａｒ　ＵＶ　ＩｎＧａＮ—ＧａＮ　ＬＥＤ　ｃｈｉｐ　ｐｒｅｅｏａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ｂｌｕｅ／ｇｒｅｅｎ　ｐｈｏｓｐｈｏｒ［Ｊ］．ＩＥＥＥＰｈｏｔｏ．Ｔｅｃｈｎｏ１．Ｌｅｔｔ．，２００３，１５（１）：１８—２０．　［４］Ｌｉｕ　Ｊｉｅ，Ｓｕｎ　Ｊｉａｙｕｅ，Ｓｈｉ　Ｃ．ｈｎｕｓｈａｎ．Ｔｈｅ　ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｗｈｉｔｅ　ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ＬＥＤ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ．（化学通报），　２００５，６８（６）：４１７４２４（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）．　［５］Ｗｕ　Ｈａｏ，Ｐａｎ　Ｙｕｅｘｉａｏ，Ｇｕｏ　Ｃｈｏｎｇｆｅｎｇ，ｅｔ　ａ１．Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｒａｒｅ　ｅａｒｔｈ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ　ａｎｄ　ｔｈｉｅｒ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ｉｎ　ｗｈｉｔｅ—ｌｉｇｈｔ　ＬＥＤ［Ｊ］．Ｃｈｉｎ．　Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２００６，２７（２）：２０１－２０５（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）．　［６］Ｚｈａｎｇ　Ｇｕｏｙｏｕ，Ｚｈａｏ　Ｘｉａｏｘｉａ，Ｍｅｎｇ　Ｑｉｎｇｙｕｅ，ｅｔ　ａ１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｒｅｄ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｐｈｏｓｐｈｏｒ　Ｇｄ２　Ｍ％Ｏ９：Ｅｕ“　ｆｏｒ　ｗｈｉｔｅ　ＬＥＤ［Ｊ］．Ｃｈｉｎ．　Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２００７，２８（１）：５７－６１（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）．　［７］Ｌｉｕ　Ｘｉｎｇｒｅｎ．Ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ　ｏｆｒ　ｗｈｉｔｅ　ＬＥＤ　ｓｏｌｉｄ　ｓｔａｔｅ　ｌｉｇｈｔｉｎｇ［Ｊ］．Ｃｈｉｎ．　Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２００７，２８（３）：２９１－３０１　（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）．　［８］Ｘｉｅ　Ｒｏｎｇｊｕｎ，Ｎａｏｔｏ　Ｈｉｒｏｓａｋｉ，Ｎａｏｋｉ　Ｋｉｍｕｒａ，ｅｔ　ａ１．２－ｐｈｏｓｐｈｏｒ·ｃｏｎｖｅｒｔｅｄ　ｗｈｉｔｅ　ｌｉｈｇｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｕｓｉｎｇ　ｏｘｙｎｉｔｉｒｄｅ／ｎｉ—　ｔｒｉｄｅｐｈｏｓｐｈｏｒｓ［Ｊ］．Ａｐｐ１．　．Ｌｅｔｔ．，２００７，９０（１９）：１９１１０１．１－３　［９］Ｘｉｅ　Ｒ　Ｊ，Ｈｉｒｏｓａｋｉ　Ｎ，Ｍｉｔｏｍｏ　Ｍ．Ｓｔｒｏｎｇ　ｇｒｅｅｎ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｆｒｏｍ　０【一ＳｉＡ１ＯＮ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｂｙ　ｄｉｖａｌｅｎｔ　ｙｔｔｅｒｂｉｕｍ　ｕｎｄｅｒ　ｂｌｕｅ　ｌｉｈｇｔ　ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ［Ｊ］．．，．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｂ，２００５，１０９（１９）：９４９０－９４９４　［１　Ｏ］Ｎａｏｔｏ　Ｈｉｒｏｓａｋｉ，Ｘｉｅ　Ｒｏｎｇｊｕｎ，Ｋｏｊｉ　Ｋｉｍｏｔｏ，ｅｔ　ａ１．Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｇｒｅｅｎ．ｅｍｉｔｔｉｎｇ￣－ＳｉＡ１ＯＮ：Ｅｕ　ｐｏｗｄｅｒ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ　ｆｏｒ　ｗｈｉｔｅ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｄｏｅｓ【Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００５，８６（２１）：２１１９０５—１－３，．　［１　１］Ｙａｎｇ　Ｃｈｉｈ—Ｃｈｉｅｈ，Ｌｉｎ　Ｃｈｉｈ—Ｍｉｎ，Ｃｈｅｎ　Ｙｉ—Ｊｕｎｇ。ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈｌｙ　ｓｔｂａｌｅ　ｔｈｒｅｅ—ｂａｎｄ　ｗｈｉｔｅ　ｌｉｈｇｔ　ｆｒｏｍ　ａｎ　ＩｎＧａＮ—ｂａｓｅｄ　ｂｌｕｅ　ｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ　ｃｈｉｐ　ｐｒｅｃｏａｔｅｄ　ｗｉｔｈ（ｏｘｙ）ｎｉｔｒｉｄｅ　ｒｇｅｅｎ／ｒｅｄ　ｐｈｏｓｐｈｏｓｒ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００７，９０（１２）：１２３５０３．　１－３．　［１　２］Ｌｊ　Ｙ　Ｑ，Ｄｅｌｓｉｎｇ　Ａ　Ｃ　Ａ，ｄｅ　Ｇ，ｅｔ　ａ１．Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｅｕ“－ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ａｌｋａｌｉｎｅ－ｅａｒｔｈ　ｓｉｌｉｃｏｎ—ｏｘｙｎｉｔｉｒｄｅ　ＭＳｉ２Ｏ２６Ｎ２＋２／３８（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）：Ａ　ｐｒｏｍｉｓｉｎｇ　ｃｌａｓｓ　ｏｆ　ｎｏｖｅｌ　ＬＥＤ　ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，２００５，１７　（１２）：３２４２—３２４８．　．　［１　３］Ｎａｏｋｉ　Ｋｉｍｕｒａ，Ｋｅｎ　Ｓａｋｕｍａ，Ｓｙｕｎｉｃｈｉｒｏ　Ｈｉｒａｆｕｎｅ，ｅｔ　ａ１．Ｅｘｔｒａｈｉｇｈ　ｃｏｌｏｒ　ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ　ｗｈｉｔｅ　ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ　ｌａｍｐｓ　ｕｓｉｎｇ　ｏｘｙｎｉｔｉｒｄｅ　ａｎｄ　ｎｉｔｒｉｄｅ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ　ｅｘｃｉｔｅｄ　ｂｙ　ｂｌｕｅ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００７，９ｏ（５）：０５１１０９－ｌ一３．　发　光　．学　报　第２９卷　［１４］Ｈｏ　Ｓｅｏｎｇ　Ｊａｎｇ，Ｄｕｋ　Ｙｏｕｎｇ　Ｊｅｏｎ．Ｙｅｎｏｗ．ｅｍｉｔｉｔｎｇ　Ｓｒ３ＳｉＯ５：Ｃｅ。　，Ｌｉ　ｐｈｏｓｐｈｏｒ　ｆｏｒ　ｗｈｉｔｅ－ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ａｎｄ　ｙｅｌｌｏｗ－　ｌｉｈｇｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｄｏｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅａ．，２００７，９０（４）：０４１９０６－１－３．　［１５］Ｊｏｕｎｇ　Ｋｙｕ　Ｐａｒｋ，Ｋｙｏｕｎｇ　Ｊａｅ　Ｃｈｏｉ，Ｊｅｏｎｇ　Ｈｏ　Ｙｅｏｎ，ｅｔ　ａ１．Ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｗａｌＴｎ　ｗｈｉｔｅ—ｌｉｈｇｔ。ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｄｏｅｓ　ｂｙ　ｕｓｉｎｇ　ａ　Ｂａ２　ｅｏｄｏｐｅｄ　Ｓｒ３ＳｉＯ５：Ｅｕ　ｐｈｏｓｐｈｏｒ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００６，８８（４）：０４３５１１－－－１　３．　Ｓｐｅｃｔｒａｌ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ａｌｋａｌｉｎｅ　Ｅａｒｔｈ　Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ　ｆｏｒ　Ｗｈｉｔｅ－ＬＥＤ　ＹＡＮＧ　Ｙｉ　，ＪＩＮ　Ｓｈａｎｇ—ｚｈｏｎｇ　，ＳＨＥＮ　Ｃｈａｎｇ．ｙｕ　，ＴＡＮＧ　Ｙｉｎ—ｘｕａｎ　，ＭＩＮＧ　Ｊｉａｎｇ—ｚｈｏｕ　（１．Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｏｆＺｈｅｊｉａｎｇ　Ｐｒｏｖｉｎｃｅ　Ｍｏｄｅｍ　Ｍｅ￣ｍ＇ｍｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｎｄ　ｌｍｔｍｒｎｅｎｔ，　Ｃｈｉｎａ川　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｈａｎｇｚｈｏｕ　３１００１８，Ｃｈｉａｎ；　２．Ｈａｎｇｚｈｏｕ　Ｄａｍｉｎｇ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ　Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．，Ｈａｎｇｚｈｏｕ　３１１２００，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｒｅｅ　ｓｅｒｉｅｓ　ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ（Ａ：（ＳｒＢａ）３ＳｉＯ５：０．０２４Ｃｅ“，０．０２４Ｌｉ　；Ｂ：Ｓｒ２Ｍｏ７３　２　ＳｉＯ５：　０．０７Ｅｕ　（　＝Ｂａ，Ｍｇ，Ｃａ）；Ｃ：（ＳｒＢａ）３ＳｉＯ５：ｘＥｕ¨）ｗｅｒｅ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ　ｂｙ　ｓｏｌｉｄ　ｒｅａｃｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ．Ｔｈｅｉｒ　ｅｘｃｉ－　ｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｅｍｉｓｓｉ　ｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｗｅｒｅ　ｍｅａｓｕｒｅｄ．Ｔｈｅｒｅ　ａｒｅ　ｔｗｏ　ｅｘｉｔａｔｉｏｎ　ｐｅａｋｓ（３５　１　ｎｍ　ａｎｄ　４１８　ｎｍ，４１８　ｎｍ　ｉｓ　ｓｔｒｏｎｇｅｒ）ｆｏｒ　Ｃｅ¨－ａｃｔｉｖａｔｅｄ（Ｓｅｒｉｅｓ　Ａ）ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ．Ｗｉｔｈ　ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ　ｔｈｅ　ｃｏｎｔｅｎｔ　ｏｆ　Ｂａ　ｉｏｎ，ｔｈｅｉｒ　ｅｍｉｓ—　ｓｉｏｎ　ｐｅａｋｓ　ｃｈａｎｇｅ　ｔｏ　ｌｏｎｇｅｒ　ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ．Ｃｏｎｓｅｑｕｅｎｔｌｙ，ｗｅ　ｃａｎ　ｃｈａｎｇｅ　ｉｔｓ　ｃｏｌｏｒ　ｔｈｅｎ　ａｔ　ｈｔｅ　ｅｎｄ　ａｄｊｕｓｔ　ｔｈｅ　ＣＩＥ　ｃｈｒｏｍａｔｉｃｉｔｙ　ａｎｄ　ｃｏｌｏｒ　ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ　ｉｎｄｅｘ　ｏｆ　ｗｈｉｔｅ—ＬＥＤ．Ｅｕ２　一ａｃｔｉｖａｔｅｄ（Ｓｅｒｉｅｓ　Ｂ　ａｎｄ　Ｃ）ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ　ｈａｖｅ　ｂｒｏａｄ　ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ　ｂａｎｄｓ　ｆｒｏｍ　３５０　ａｍ　ｔｏ　４５０　ａｍ．Ｔｈｅ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｐｅａｋｓ　ｏｆ　Ｃｅ¨一ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ　ａｒｅ　５４０～５５５　ｎｍ　ａｎｄ　ｓｈｏｒｔｅｒ　ｈｔａｎ　Ｅｕ¨一ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｓｗｈｉｌｅ　ｔｈｅ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｐｅａｋｓ　ｏｆ　Ｅｕ¨一ａｃｔｉｖａ—　ｔｅｄ　ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ　ａｒｅ　ａｔ　５７０～５８３　ｎｍ．Ｆｏｒ　ｈｔｅ　ｓｅｒｉｅｓ　Ｂ（Ｓｒ２．７３Ｍｏ．２ＳｉＯ５：０．０７Ｅｕ“（Ｍ＝Ｂａ，Ｍｇ，Ｃａ）），　ｉｔ＇ｓ　ｂｅｔｔｅｒ　ｗｈｅｎ　Ｍ＝Ｂａ．Ａｔ　ｔｈｅ　ｓｅｒｉｅｓ　Ｃ（（ＳｒＢａ）３　ＳｉＯ５：ｘＥｕ¨），ｔｈｅｉｒ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｐｅａｋｓ　ａｎｄ　ＦＷＨＭ　ｃｈａｎｇｅ　ｗｉｔｈ　ｎｏ　ｏｂｖｉｏｕｓ　ｒｕｌｅ．Ｔｈｅ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｐｅａｋｓ　ｏｆ　Ｂａ—ｄｏｐｅｄ　Ｓｒ３　ＳｉＯ５：Ｃｅ　，Ｌｉ　ａｎｄ　Ｓｒ３　ＳｉＯ５：Ｅｕ　ｓｈｉｆｔｅｄ　ｔｏ　ｌｏｎｇｅｒ　ｗａｖｅ—　ｌｅｎｇｔｈ．Ｂｏｔｈ　ｏｆ　ｔｈｅｍ　ｃａｎ　ｂｅ　ｕｓｅｄ　ｆｏｒ　ｐａｃｋａｇｉｎｇ　ｗｈｉｔｅ—ＥＬＤ　ｗｉｔｈ　ＮＵＶ，ＵＶ　ａｎｄ　ｂｌｕｅ　ＬＥＤ　ｃｈｉｐ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｗｈｉｔｅ—ＬＥＤ；ｓｉｌｉｃａｔｅ；ｐｈｏｓｐｈｏｒ　Ｒｅｃｅｉｖｅｄ　ｄａｔｅ：２００７－１２－１８