专利名称：一种改善厚栅氧化物形貌的方法专利类型：发明专利发明人：沈萍,黄奕仙
申请号：CN201410106566.2申请日：20140320公开号：CN103887229A公开日：20140625
摘要：本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种通过增大浅沟槽隔离凹陷区宽度和深度的方法改善厚栅氧化物形貌的方法。在栅氧化物生长前，适当增加湿法清洗工艺（WET）次数以增加浅沟槽隔离凹陷区（STI divot）的宽度和深度，使得氧化过程中气体与有源区的侧墙与气体有充分的接触，有助于形成高质量和形貌良好的栅氧化物。通过本发明的方法能够在集成电路的制造过程中，使得氧化过程中气体与有源区的侧墙得到充分接触，防止有源区尖角的形成。本方法因其对工艺过程的改动较少，容易实现对器件性能的改善。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：吴俊
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