专利名称：NMOS管高电压高速驱动电路专利类型：发明专利发明人：姜文耀,陶勇
申请号：CN201610512303.0申请日：20160629公开号：CN106067800A公开日：20161102
摘要：本发明公开了一种NMOS管高电压高速驱动电路。包括输入保护整流电路、驱动主电路和主回路电路。输入保护整流电路由TVS管或者双向稳压二极管，四个整流二极管组成；驱动主电路由PNP转换三极管Q1，PNP释放三极管Q2、NPN放大三极管Q3 (可去除)，限流电阻R1、释放电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、限流电阻R5、释放电阻R6 (可去除)、快速关断电容C1、分流二极管D6、稳压二极管D8 (可去除)；主回路电路由NMOS管M1、续流二极管D7和负载L1组成。本发明是一种功耗小、成本低，可承受输入电压范围大，开关速度快的驱动电路。
申请人：浙江桃园科技有限公司
地址：310013 浙江省杭州市西湖区天目山路217号18层1801-1室
国籍：CN
代理机构：杭州求是专利事务所有限公司
代理人：林怀禹
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