（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201010518024.8 （22）申请日 2010.10.25
（71）申请人 上海华虹NEC电子有限公司
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
（10）申请公布号 CN102453957A
（43）申请公布日 2012.05.16
（72）发明人 刘继全
（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 戴广志
（51）Int.CI
C30B25/02; H01L21/02;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
降低锗硅外延表面缺陷的方法
（57）摘要
本发明公开了一种降低锗硅外延表面缺陷
的方法，包括如下步骤：步骤一、采用湿法去除硅片表面的氧化层和污染物；步骤二、采用氢氟酸HF气体对硅片表面进行处理；步骤三、在硅片表面进行锗硅外延生长。本发明能够降低锗硅工艺的热预算，提高锗硅外延的质量。
法律状态
法律状态公告日
2012-05-16 2012-06-27 2014-01-29 2015-05-13
公开
实质审查的生效
专利申请权、专利权的转移 发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态信息
公开
法律状态
实质审查的生效
专利申请权、专利权的转移 发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
降低锗硅外延表面缺陷的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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