专利名称：用于制造碳化硅衬底的方法以及碳化硅衬底专利类型：发明专利
发明人：木下博之,须田淳,木本恒畅申请号：CN200780031644.5申请日：20070823公开号：CN101536157A公开日：20090916
摘要：本发明是一种用于制造碳化硅衬底的方法，其中，在其上形成半导体层的主表面具有由平坦台地和台阶组成的台阶－台地结构。用于制造碳化硅衬底的该方法其特征在于，原始材料衬底的主表面(1)的表面取向相对于(0001)面倾斜0.03°至1°的角度，并且以1250℃至1700℃执行氢气蚀刻。还公开了一种SiC衬底，其只具有很少的螺旋凹陷并且表面平坦度极好。
申请人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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