专利名称：一种发光二极管外延片及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：郭炳磊,王群,葛永晖,吕蒙普,胡加辉,李鹏申请号：CN201711130379.8申请日：20171115公开号：CN108198920A公开日：20180622
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力调控层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，应力调控层包括多个第一子层和多个第二子层，多个第一子层和多个第二子层交替层叠设置，多个第一子层和多个第二子层的组成元素均包括铟元素、铝元素和氮元素，各个第一子层中铟元素的含量相同，各个第二子层中铟元素的含量相同，第二子层中铟元素的含量与第一子层中铟元素的含量不同。本发明可释放晶格失配产生的应力，改善多量子阱层的生长质量，降低有源层的极化效应，有利于电子和空穴在多量子阱层中复合发光，提高发光二极管的发光效率。
申请人：华灿光电(浙江)有限公司
地址：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇徐丰村(浙江四达工具有限公司内)
国籍：CN
代理机构：北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人：徐立
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