专利名称：成膜装置专利类型：发明专利
发明人：小平周司,吉浜知之,镰田恒吉,堀田和正,滨口纯一,中
西茂雄,丰田聪
申请号：CN201080026409.0申请日：20100715公开号：CN102471879A公开日：20120523
摘要：该成膜装置(1)，包括：腔室(2)，具有内部空间和侧壁，在所述内部空间中，以欲形成覆膜(L)的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)和所述靶(3)这两者；排气部(12)，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，配置在靠近所述靶(3)的位置，产生磁场使垂直的磁力线在与所述靶(3)相邻的位置上通过；以及第三磁场产生部(18)，配置在靠近所述被处理体(W)的位置，产生磁场以将所述磁力线向所述腔室(2)的所述侧壁诱导。
申请人：株式会社爱发科
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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