专利名称：一种功率器件芯片及其制作方法专利类型：发明专利发明人：赵芝萍
申请号：CN201810745268.6申请日：20180709公开号：CN108922872A公开日：20181130
摘要：本发明提供了一种功率器件及其制作方法，所述功率器件的制作方法包括：第一导电类型的衬底，所述衬底具有从所述衬底下表面延伸至所述衬底内的沟槽，所述沟槽自下而上宽度递减；多晶硅层，形成于所述沟槽的侧壁；介质层，形成于所述沟槽顶部且延伸至所述衬底中；第一导电类型的外延层，生长于所述衬底上表面；功率器件结构，形成于所述外延层上表面；第一电极，形成于所述功率器件上表面并与所述功率器件连接；第二电极，包括形成于所述沟槽内与所述多晶硅层连接的第一部分，以及形成于所述衬底下表面的第二部分。本发明的技术方案在增加功率器件芯片的热耗散的同时提高功率器件的工作可靠性。
申请人：盛世瑶兰(深圳)科技有限公司
地址：518000 广东省深圳市罗湖区桂园街道宝安南路3042号天地大厦21楼2113
国籍：CN
代理机构：深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹明兰
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容