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(完整word版)《VLSI设计方法学》试卷

2023-12-11 来源:好走旅游网
《VLSI设计方法学》试卷

2014-2015学年 第一学期

姓名: 班级: 学号:

一.填空题(3*10=30)

1. 自从集成电路诞生以来,经历了SSI、 、 、 的发展过程。

2. 目前商业化半导体芯片的线宽为 μm。

3. 信息系统的集成可分为三个层次: 、 和 。

4. 90年代以来,ICCAD的代表工具有 、 和 等EDA系统。

二.名词解释(4*2=8)

1. CIF语言

2. FPGA

三.简答题(8*4=32)

1. 简述集成电路工艺进入超深亚微米后的主要特点。

2. 光刻工艺与其他集成电路制造单项工艺的本质区别是什么?

3. 简述全定制电路的几种设计方法。

4. 请列举系统封装的主要方式。

四.论述题(10*3=30)

1. 简述VLSI的设计步骤。

2. VLSI设计中主要面临哪些问题?

3. 简述门阵列设计的优缺点。

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