专利名称：一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：徐刚,甄恩明,徐雪青,苗蕾申请号：CN200910192094.6申请日：20090908公开号：CN101691658A公开日：20100407
摘要：本发明提供了一种设备及工艺简单的制备c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法。具体步骤包括：(1)以二乙酰丙酮氧钒为原料，配制成溶胶；(2)以此溶胶为涂覆液，在清洗干净的衬底材料上，采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜；(3)在含氧气氛中进行热处理。本发明具有工艺简单，可大面积制备，制备成本低廉等优点。所制备的五氧化二钒薄膜沿c轴方向生长，取向单一，有利于离子的嵌入与脱嵌，可改善锂离子电池阴极及电致变色器件的性能。
申请人：中国科学院广州能源研究所
地址：510640 广东省广州市天河区五山园区能源路1号
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：莫瑶江
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