专利名称：一种制备P型ZnO欧姆电极的方法专利类型：发明专利
发明人：王新,吕有明,张吉英,申德振申请号：CN200510016510.9申请日：20050105公开号：CN1801460A公开日：20060712
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，是一种制备P型ZnO欧姆电极的方法。利用真空蒸发设备先在p型ZnO上蒸镀金属Ni，形成第一层Ni电极材料，然后蒸镀金属Au，形成第二层Au电极材料作为电极，接下来将制备的电极在氮气中低温下进行快速热退火。由于Ni和Au的功函数都较大，Ni又可以与Au等金属形成合金，在快速热退火中，金属Ni和Au之间以及金属与p型ZnO半导体材料表面薄层中的原子相互扩散，减小了金属与半导体界面的势垒高度，达到欧姆接触的目的。由于Ni与半导体的附着能力要比Au好，同时Ni可以减少金属与半导体接触时的“缩球”效应，尤其是经过退火后可以大大改善电极的欧姆特性；另外Au的化学稳定性较好，在Ni的上面蒸镀Au膜可以有效避免电极材料与外界环境直接接触而造成的电极特性退化，提高电极的稳定性和寿命。
申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
地址：130031 吉林省长春市东南湖大路16号
国籍：CN
代理机构：长春科宇专利代理有限责任公司
代理人：李恩庆
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