专利名称：发光二极管芯片的制造方法专利类型：发明专利发明人：冈村卓,北村宏申请号：CN201711000328.3申请日：20171024公开号：CN108023005A公开日：20180511
摘要：提供能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法。该方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，该层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；一体化工序，将在内部形成有多个气泡的透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；透明基板加工工序，在实施了一体化工序之后，在一体化晶片的透明基板的背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑；以及分割工序，在实施了透明基板加工工序之后，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
申请人：株式会社迪思科
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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