专利名称：硅片承载结构即分离装置专利类型：实用新型专利发明人：任少军
申请号：CN202020988709.8申请日：20200602公开号：CN211879352U公开日：20201106
摘要：本实用新型涉及一种硅片承载结构，包括基台，基台上并排设置的第一条形支撑架和第二条形支撑架，第一条形支撑架沿其延伸方向设置有多个第一卡槽，第二条形支撑架沿其延伸方向设置有多个第二卡槽，多个第一卡槽与多个第二卡槽一一对应，第一卡槽包括沿垂直于基台的方向相叠置的多个子卡槽，该多个子卡槽在第一方向上的宽度随着第一卡槽的深度的增加而减小；第二卡槽包括沿垂直于基台的方向相叠置的多个子卡槽，该多个子卡槽在第一方向上的宽度随着第二卡槽的深度的增加而减小；第一方向为第一条形支撑架的延伸方向。本实用新型还涉及一种分离装置。
申请人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
地址：710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
国籍：CN
代理机构：北京银龙知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容