专利名称：半导体元件及其制备方法专利类型：发明专利发明人：庄景诚
申请号：CN202010440526.7申请日：20200522公开号：CN112310283A公开日：20210202
摘要：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该制备方法包括：提供一基底；在该基底上方形成一生长基膜；在该生长基膜中形成多个掺杂段以及多个未掺杂段；在所述多个未掺杂段上选择地形成多个隔离段；移除所述多个掺杂段；以及在该基底上方形成多个电容结构。
申请人：南亚科技股份有限公司
地址：中国台湾新北市
国籍：CN
代理机构：隆天知识产权代理有限公司
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