专利名称：一种纳米线堆叠结构及其形成方法和半导体层图形
化方法
专利类型：发明专利
发明人：梁擎擎,徐秋霞,钟汇才,朱慧珑申请号：CN201010230775.X申请日：20100713公开号：CN102332451A公开日：20120125
摘要：一种纳米线堆叠结构，所述纳米线堆叠结构形成于第一半导体层上且由第二半导体层构成；所述纳米线堆叠结构包括至少一个纳米线组和相对的两个半导体基体，每一纳米线组包括至少两个纳米线，各所述纳米线分立，各所述纳米线包括第一端和第二端，各所述第一端和所述第二端分别接于各所述半导体基体，在同一所述纳米线组内，各所述纳米线在所述第一半导体层上的投影重合。还提供了一种纳米线堆叠结构的形成方法。利于增加集成度。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京市立方律师事务所
代理人：马佑平
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