模拟电子技术基础第一章题解

自 测 题

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）

（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）

（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）

（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）

解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×

二、选择正确答案填入空内。

（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏

（4）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C

习 题

1.1 选择合适答案填入空内。

（1）在本征半导体中加入 A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。

A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

第一章题解－1

A. 增大 B. 不变 C. 减小

（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100

（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。

A.增大 B.不变 C.减小 解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A

1.2 电路如图P1.2所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.2

解图P1.2

解：ui和uo的波形如解图P1.2所示。

1.3 电路如图P1.3所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7

图P1.3

解图P1.3 第一章题解－2

解：波形如解图P1.3所示。

1.4 电路如图P1.4所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？

解：二极管的直流电流

ID＝（V－UD）/R＝2.6mA

其动态电阻 rD≈UT/ID＝10Ω 故动态电流有效值

Id＝Ui/rD≈1mA 图P1.4

1.6 已知图P1.6所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。

（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； （2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？

解：（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ

＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 UO

RLU3.33V IRRL 当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最 图P1.6 小稳定电流IZmin，所以

UO＝UZ＝6V 同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。

(UU)R （2）I29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损DIZZ坏。

1.7 在图P1.7所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问： （1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R的取值范围是多少？ 解：（1）S闭合。

（2）R的范围为

R(VU)I233minDDmaxR(VU)I700。maxDDmin

图P1.7 第一章题解－3