专利名称：集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：顾悦吉,闻永祥,刘琛,刘慧勇申请号：CN201310618873.4申请日：20131127公开号：CN103594467A公开日：20140219
摘要：本发明提供了一种集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法，该器件包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，具有相对的正面和背面，作为IGBT器件的场截止区；位于半导体衬底正面上的外延层，外延层的背面与半导体衬底的正面贴合，外延层具有第一掺杂类型，外延层作为IGBT器件的漂移区；IGBT器件的基区、发射区、栅介质层和栅极，形成于外延层的正面，基区具有第二掺杂类型，发射区具有第一掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；具有第二掺杂类型的集电区，位于场截止区的背面；具有第一掺杂类型的二极管接触区，位于场截止区的背面。本发明的功率半导体器件具有开关安全工作区宽、鲁棒性强以及制造成本低等优点。
申请人：杭州士兰集成电路有限公司
地址：310012 浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号
国籍：CN
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：张振军
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容