专利名称：氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化
镓系化合物半导体发光元件和使用它的灯
专利类型：发明专利发明人：福永修大,大泽弘申请号：CN200780018239.X申请日：20070323公开号：CN101449397A公开日：20090603
摘要：本发明提供一种能够得到可抑制由氢退火处理所导致的p型半导体层的电阻率的增加，同时减少透光性导电氧化膜的电阻率，并且驱动电压(Vf)低的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用它的灯。能够得到这样的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是在氮化镓系化合物半导体元件的p型GaN层(14)上层叠由透光性导电氧化膜形成的正极(15)的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，为具有在含氢(H)的气体气氛中对正极15进行退火处理的氢退火工序的构成。
申请人：昭和电工株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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