（闭卷 时间120分钟）
院/系 年级 专业 姓名 学号
一、 名词解释 肖特基缺陷 非均匀成核 烧结 泰曼温度 非本征扩散 稳定扩散 二、简答题
1、简述硅酸盐晶体结构分类的原则和各类结构中硅氧四面体的形状。 2、试比较杨德尔方程和金斯特林格方程的优缺点及其适用条件。 3、影响固相反应的因素有那些？
4、 网络变性体（如Na2O）加到石英玻璃中，使硅氧比增加。实验观察到当O/Si=2.5~3时，
即达到形成玻璃的极限，根据结构解释为什么在2 明原因。 三、论述题 1、简述晶粒生长与二次再结晶的特点，以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法。 2、相变过程的推动力是什么？ 第 1 页 共 4 页 武汉理工大学2020—2021学年第1学期 《无机材料》考试试卷（A卷） 参考答案 一、 名词解释 肖特基缺陷：如果正常格点上的原子，热起伏过程中获得能量离开平衡位置，迁移到晶体的表面，在晶格内正常格点上留下空位，即为肖特基缺陷。 非均匀成核：借助于表面、界面、微粒裂纹、器壁以及各种催化位置而形成晶核的过程。 烧结：由于固态中分子（或原子）的相互吸引，通过加热，使粉末体产生颗粒粘结，经过物质迁移使粉末体产生强度并导致致密化和再结晶的过程。 泰曼温度：反应物开始呈现显著扩散作用的温度。 非本征扩散：受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制的扩散。或由不等价杂质离子取代造成晶格空位，由此而引起的质点迁移。 稳定扩散：若扩散物质在扩散层dx内各处的浓度不随时间而变化，即dc/dt=0。这种扩散称稳定扩散。 二、简答题 1、硅酸盐晶体结构分类的原则：结构中硅氧四面体的连接方式。（2.5分） 各类结构中硅氧四面体的形状：岛状结构：四面体；组群状结构；（1.5分）双四面体、三节环、四节环和六节环；（1.5分）链状结构：单链、双链；（1.5分）层状结构：平面层；（1.5分）架状结构：三维空间延伸的骨架。（1.5分） 2、杨德尔方程在反应初期具有很好的适应性，但杨氏模型中假设球形颗粒反应截面积始终不变，因而只适用反应初期转化率较低的情况。（4分）而金氏模型中考虑在反应进程中反应截面积随反应进程变化这一事实，因而金氏方程适用范围更广，可以适合反应初、中期。两个方程都只适用于稳定扩散的情况。（4分） 3、影响固相反应的因素有反应物化学组成与结构的影响；颗粒度和分布影响；反应温度、压力、气氛影响；矿化剂的影响。（6分） 4、在2 较高，在高温熔体中低聚物含量较高，熔体黏度较低，所以易析晶，而不形成玻璃。（4分） 5、在扩散传质的烧结过程中，系统内不同部位（颈部、颗粒接触点、颗粒内部）空位浓度不同，导致原子或质点由颗粒接触点向颈部迁移，填充到气孔中。因此使坯体致密化的推动力是空位浓度差。（4分） 对于扩散传质：（1）控制原料的起始粒度非常重要，颗粒细小的原料可促进烧结，因为颈部增长速率x/r与原料起始粒度r的3/5次方成反比；（2）温度对烧结过程有决定性作用，扩散系数与温度呈指数关系，因此提高温度可加速烧结。（4分） 三、论述题 1、晶粒生长：坯体内晶粒尺寸均匀地生长，服从Dl∝d／f公式；平均尺寸增长，不存在晶核，界面处于平衡状态，界面上无应力；晶粒生长时气孔都维持在晶界上或晶界交汇处。（3分） 二次再结晶是个别晶粒异常生长，不服从上式；二次再结晶的大晶粒的面上有应力存在，晶界数大于10的大晶粒，成为二次再结晶的晶核；二次再结晶时气孔被包裹到晶粒内部。 （3分） 从工艺控制考虑，造成二次再结晶的原因主要是原始粒度不均匀、烧结温度偏高。（2分） 防止二次再结晶的最好方法是引入适当的添加剂，它能抑制晶界迁移，有效地加速气孔的排除；控制烧结温度 ；选择原始粒度的均匀原材料。（2分） 2、总的推动力：相变过程前后自由能的差值 1、相变过程的温度条件 在等温等压下，ΔG=ΔH-TΔS 在平衡条件下，ΔG＝0，则ΔS=ΔH/T0 式中：T0——相变的平衡温度；ΔH——相变热。 在任意一温度了的不平衡条件下，则有ΔG=ΔH-TΔS≠0 若ΔH与ΔS不随温度而变化， ΔG=ΔH-TΔH/T0=ΔH（T0-T）/T0=ΔHΔT/T0 相变过程放热ΔH 因此相平衡理论温度与系统实际温度之差即为该相变过程的推动力。 (2分) 2、相变过程的压力和浓度条件 (1)气相，恒温下ΔG=RTlnP0/P 欲使ΔG <0，须P>P0 即汽相过饱和。(2分) (2)溶液 ΔG=RTlnC0/C 欲使ΔG <0，须C>C0 即液相过饱和。 (2分) 第 3 页 共 4 页 综上所述，相变过程的推动力应为过冷度、过饱和浓度、过饱和蒸汽压。即相变时系统温度、浓度和压力与相平衡时温度、浓度和压力之差值。(2分) 第 4 页 共 4 页 因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容