专利名称：ITO膜层的制备方法及LED芯片的制备方法专利类型：发明专利发明人：朱秀山
申请号：CN201410409508.7申请日：20140819公开号：CN104157749A公开日：20141119
摘要：本发明提出一种ITO膜层的制备方法及LED芯片的制备方法，采用第一磁控溅射技术形成ITO保护层，由于在磁控溅射过程中等离子体轰击GaN基底会造成的GaN基底的N缺失，形成ITO保护层中增加有N，能够补充N的缺失，从而消除了高溅射功率下等离子体对GaN基底的损伤，避免了ITO膜层中的In或Sn向GaN基底内部的渗透，有效增强ITO膜层和GaN基底的欧姆接触，降低形成的LED芯片的电压。此外，ITO主体层为折射率渐变的膜层体系，有效地增加了光的溢出效率，提升产品品质。
申请人：映瑞光电科技(上海)有限公司
地址：201306 上海市浦东新区临港产业区鸿音路1889号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：郑玮
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