《传感器原理与应用》及《传感器与测量技术》习题集与部分参考答案
教材：传感器技术（第3版）贾伯年主编，及其他参考书
第8章 光电式传感器
8-1 简述光电式传感器的特点和应用场合，用方框图表示光电式传感器的组成。 8-2 何谓外光电效应、光电导效应和光生伏特效应？
答：外光电效应：在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。
光电导效应：在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化的现象。
光生伏特效应：在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象。 8-3 试比较光电池、光敏晶体管、光敏电阻及光电倍增管在使用性能上的差别。
答：光电池：光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件。它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。当光照到PN结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发出电子-空穴对，在N区聚积负电荷，P区聚积正电荷，这样N区和P区之间出现电位差。 8-4 通常用哪些主要特性来表征光电器件的性能？它们对正确选用器件有什么作用？ 8-5 怎样根据光照特性和光谱特性来选择光敏元件？试举例说明。
答：不同类型光敏电阻光照特性不同，但光照特性曲线均呈非线性。因此它不宜作定量检测元件，一般在自动控制系统中用作光电开关。
光谱特性与光敏电阻的材料有关，在选用光敏电阻时，应把光敏电阻的材料和光源的种类结合起来考虑，才能获得满意的效果。
8-6 简述CCD图像传感器的工作原理及应用。 8-7 何谓PSD？简述其工作原理及应用。
8-8 说明半导体色敏传感器的工作原理及其待深入研究的问题。
8-9 试指出光电转换电路中减小温度、光源亮度及背景光等因素变动引起输出信号漂移应采取的措施。 8-10 简述光电传感器的主要形式及其应用。
答：模拟式（透射式、反射式、遮光式、辐射式）、开关式。
应用：光电式数字转速表、光电式物位传感器、视觉传感器、细丝类物件的在线检测。 8-11 举出你熟悉的光电传感器应用实例，画出原理结构图并简单说明原理。
8-12 试说明图8-33(b)所示光电式数字测速仪的工作原理。（1）若采用红外发光器件为光源，虽看不见灯亮，电路却能正常工作，为什么？（2）当改用小白炽灯作光源后，却不能正常工作，试分析原因。
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10（1A8-13 若采用波长为9100A量元件？为什么？
10m）的砷化镓发光二极管作光源，宜采用哪几种光电元件作测
8-14 手头有三种光电元件：硫化铊光敏电阻、硫化铅光敏电阻、硅光敏三极管，用可见光为光源，请按
下列条件选用光电元件：（1）制作光电开关，开关频率约10Hz；（2）制作光电开关，开关频率约为104Hz；（3）作线性测量元件，响应时间10-1s。
8-15 简述视觉传感器概念、结构组成和工作原理。
*8-16 什么是外光电效应？内光电效应？光生伏特效应？光电导效应？ 8-17 光电器件中的光照特性、光谱特性分别描述的是光电器件的什么性能？ 8-18 试述光敏电阻、光敏晶体管、光电池的器件结构和工作原理。 8-19 当光源波长为0.8—0.9μm时宜采用哪种材料的光敏元件进行测量？ 8-20 叙述电荷耦合器件（CCD）的结构和存储电荷与转移电荷的工作过程。
答：CCD是一种半导体器件，在N型或P型硅衬底上生长一层很薄的SiO2，再在SiO2薄层上依次序沉积金属电极，这种规则排列的MOS电容数组再加上两端的输入及输出二极管就构成了CCD芯片,CCD可以把光信号转换成电脉冲信号。每一个脉冲只反映一个光敏元的受光情况，脉冲幅度的高低反映该光敏元受光的强弱，输出脉冲的顺序可以反映光敏元的位置，这就起到图像传感器的作用。
转移电荷的工作过程：如图三相控制是在线阵列的每一个像素上有三个金属电极P1,P2,P3,依次在其上施加三个相位不同的控制脉冲Φ1，Φ2，Φ3，见图（b）。CCD电荷的注入通常有光注入、电注入和热注入等方式。图(b)采用电注入方式。当P1极施加高电压时，在P1下方产生电荷包（t=t0）；当P2极加上同样的电压时，由于两电势下面势阱间的耦合，原来在P1下的电荷将在P1、P2两电极下分布（t=t1）；当P1回到低电位时，电荷包全部流入P2下的势阱中（t=t2）。然后，P3的电位升高，P2回到低电位，电荷包从P2下转到P3下的势阱（t=t3），以此控制，使P1下的电荷转移到P3下。随着控制脉冲的分配，少数载流子便从CCD的一端转移到最终端。终端的输出二极管搜集了少数载流子，送入放大器处理，便实现电荷移动。
8-21 作为光波5μm红外线的传感器材料有哪些？
8-22 作光电管的CdS材料和InSb晶体的性质差异是什么？ 答：InSb光电管虽然响应速度快，但必须使用液体氮冷却。 2
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8-23 在用光开关检测物体的系统中，指出输出电压的时间波形。
答：光进入受光器输出电压为0V，光不进入时，输出6V，所以下图为所示波形。
8-24 在用光开关检测物体的系统中，由受光器的受光次数，可计算通过输送带上物体的个数，那么，用输送带搬运两种高度的物体时，画出能分别计算两种高度的物体个数的系统组成图。
答：在运输带两边分别设置发光器A和B，受光器A'和B'。高度低的物体通过时，（下图（a）），受光器A'受光但B'不受光（表1中分别用符号Ο和Ⅹ表示）。若是高低物体，则A'和B'都不受光（表1中分别用Ⅹ和Ⅹ表示）。因此可得b图的体统组成图。受光时（符号Ο）输出是0V（L水平），不受光（符号Ⅹ）时输出是6V（H水平）。因此，表1变成表2 。结果，分别数一数输出a,b为L，H时（低的物体）或者H，H时（高的物体）即可。这是用逻辑电路和计数电路完成的。
8-25 由光电二极管二维阵列组成面型传感器进行图像检测，对图像的分辨率由光电二极管的个数决定，试说明理由。
答：面型传感器由许多的单元构成二维平面，其中每一个小单元都是一个光电二极管，称为像素。用面型传感器测量物体的形状所得的图像的分辨率最高只能是一个像素。如果所测得图像长为l ，对应N个像素，分辨率为l/N。假设N为200，则分辨率最高只能使1/200。 8-26 简述模拟式光电传感器的要求及工作方式。
答：模拟式光电传感器将被测量转换成连续变化的光电流，要求光电元件的光照特性为单值线性，而且光源的光照均匀恒定。属于这类的传感器的工作方式有： （1）被测物体本身是光辐射源，由它释出的光射向光电元件；
（2）被测物体位于恒定光源与光电元件之间，根据被测物对光的吸收程度或对其谱线的选择来测定被测3
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参数；
（3）恒定光源射出的光投射到被测物体上，再从其表面反射到光电元件上，根据反射的光通量多少测定被测物表面性质和状态；
（4）被测物位于恒定光源与光电元件之间，根据被测物阻挡光通量的多少来测定被测参数；
（5）时差测距：恒定光源发出的光投射于目的物，然后反射到光电元件，根据发射与接收之间的时间差测出距离。
8-27 光电效应可分几类？说明其原理并指出相应的光电器件。
答：光电效应是指物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量而产生电效应的现象。分为：外光电效应和内光电效应两种，其中内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。
外光电效应：在光的照射下，电子逸出物体表面而产生光电子发射的现象。条件：小于红限波长（或大于其红限频率）即根据爱因斯坦光电效应方程，要使一个电子从物体表面逸出，必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功，超过部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应多发生于金属和金属氧化物。基于外光电效应原理工作的光电器件有光电管和光电倍增管。
内光电效应：半导体材料中处于价带的电子吸收光子能量，通过禁带跃入导带，使导带内电子浓度和价带内空穴增多，即激发出光生电子-空穴对，从而使半导体材料产生电效应。条件：光子能量必须大于材料的禁带宽度E。内光电效应按其工作原理可分为两种：
1）光电导效应：半导体受光照后电阻率变化的现象。过程：当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大。基于光电导效应原理工作的光电器件有光敏电阻、光敏二极管和光敏三极管。
2）光生伏特效应：光照产生电子-空穴对在结电场作用下，电子N区，空穴P区，其积累使PN结两边的电位发生变化，PN结两端出现一个因光照而产生电动势的现象，称为光生伏特效应，常称为光电池。基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、光敏三极管。 8-28 光电器件的基本特性有哪些？它们各是如何定义的？
答：1）光电流：光敏元件的两端加上一定偏置电压后，在某种光源的特定照度下产生或增加的电流称为光电流。
2）暗电流：光敏元件在无光照时，两端加电压后产生的电流称为暗电流。 3）光照特性：当光敏元件加一定电压时，光电流与光敏元件上光照度之间的关系。
4）光谱特性（又称光谱响应）：当光敏元件加一定电压时，若照射在光敏元件上的是一单色光，且入射光功率不变，光电流随入射光波长变化而变化的关系。
5）伏安特性：在一定照度下，光电流与光敏元件两端的电压的关系。
6）频率特性：在相同的电压和相同幅值的光强度下，当入射光受不同的正弦交变频率调制时，光敏元件输出的光电流和灵敏度随调制频率变化的关系。
7）温度特性：环境温度变化后，光敏元件的光学性质也将随之改变的现象。 8-29 硅光电池的结构是什么？
答：在N型硅片上渗入P型杂质形成一个大面积PN结而成。
8-30 简述光电传感器的物理基础以及光电效应的种类和所对应的光敏元件。 4
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答：物理基础：光电效应。
在光线作用下能使电子逸出物体表面的称外光电效应，有光电管、光电倍增管。在光线作用下能使电阻率改变的称内光电效应（光电导效应），有光敏电阻、光电管。在光线作用下能使物体产生一定方向电动势的称光生伏特效应，有光电池。
8-31 光电效应有哪几种类型？与之对应的光电元件各有哪些？简述各光电元件的优缺点。
答：光电效应根据产生结果的不同，通常可分为外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种类型。光电管和光电倍增管是属于外光电效应的典型光电元件。光电倍增管的优点是灵敏度高，比光电管高出几万倍以上，输出线性度好，频率特性好；缺点是体积大，易破碎，工作电压高达上千伏，使用不方便。因此它一般用于微光测量和要求反应速度很快的场合。
基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光敏晶闸管。光敏电阻具有很高的灵敏度，光谱响应的范围可以从紫外线区域到红外线区域，而且体积小，性能稳定，价格较低，所以被广泛应用在自动监测系统中。在使用光敏电阻时，光电流并不是随光强改变而立刻做出相应的变化，而是具有一定的滞后，这也是光敏电阻的缺点之一。光敏三极管的灵敏度比二极管高，但频率特性较差，暗电流较大。光敏晶闸管输出功率比它们都大，主要用于光控开关电路及光耦合器中。
基于光生伏特效应的光电元件主要是光电池。应用最广泛的是硅光电池，它具有性能稳定，光谱范围宽，频率特性好，传递效率高、能耐高温辐射等优点。
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