专利名称：基于N型硅片的背接触异质结太阳电池专利类型：发明专利
发明人：张黎明,李玉花,刘鹏,姜言森,杨青天,高岩,徐振华,张
春艳,王兆光,程亮,任现坤
申请号：CN201110155023.6申请日：20110610公开号：CN102214719A公开日：20111012
摘要：本发明涉及一种太阳电池，具体涉及一种基于N型硅片的背接触异质结太阳电池。从背面特征分为N型区域和P型区域，N型区域形成N+a-si/i-a-si/N-c-si/N+c-si异质结结构，P型区域形成N+a-si/i-a-si/N-c-si/N+c-si/i-a-si/P-a-si异质结结构。本发明的太阳电池不会出现常规P型晶硅太阳电池光致衰减现象，具有更好的光谱响应，电池较常规晶硅太阳电池厚度大大减薄；电极全部印刷在电池背面，即避免了常规太阳电池正面电极遮光的问题，大大提高太阳电池的转化效率；低温烧结工艺大大简化生产工艺、降低生产成本，适用于产业化生产。
申请人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
地址：250103 山东省济南市历城区经十东路30766号力诺科技园
国籍：CN
代理机构：济南舜源专利事务所有限公司
代理人：宋玉霞
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