晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201110216657.8 （22）申请日 2011.07.30

（71）申请人 常州天合光能有限公司

地址 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号

（10）申请公布号 CN102376821A

（43）申请公布日 2012.03.14

（72）发明人 王书博;邓伟伟

（74）专利代理机构 常州市维益专利事务所

代理人 王凌霄

（51）Int.CI

H01L31/18; H01L31/0224; H01L31/0216;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构

（57）摘要

本发明涉及本发明涉及一种晶体硅太阳电

池背钝化工艺及其结构，首先在P型硅片背面使用氮化硅做掩模，在掩膜上开孔，之后进行B扩散，在开孔的地方形成重掺杂，清洗掉氮化硅掩膜之后沉积氧化铝和氮化硅的叠层膜，然后在电池背面开出背点接触图案，之后在电池背面制作

铝电极。本发明的有益效果是：本发明背钝化电池太阳能电池具有以下两个特征：1)在电池背点接触及其附近形成高掺杂重扩散区，与之后镀的铝电极可以形成良好的欧姆接触，降低电池的串联电阻；2)经过退火氧化铝可以很好的钝化背表面，降低表面复合速率，之后的氮化硅起到一个保护氧化铝的作用，以避免之后溅射或者蒸发的过程破坏氧化铝的钝化效果。

法律状态

法律状态公告日

2012-03-14 2012-04-25 2014-05-07

法律状态信息

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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