专利名称：一种制备大面积单层二碲化钒材料的两步气相方法专利类型：发明专利
发明人：杨万丽,陈鑫,孙艳,刘从峰,戴宁申请号：CN201911093519.8申请日：20191111公开号：CN110846621A公开日：20200228
摘要：本发明公开了一种制备大面积单层二碲化钒材料的两步气相方法，该制备过程分为两步：先用化学气相沉积、热蒸发或溅射法三种化学或物理气相方法制备，在尺寸为1～100cm的硅、二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝或碳化硅衬底上沉积厚度为2～50nm钒氧化物薄膜，沉积温度为100～500℃，沉积时间为10分钟～24小时；再在惰性气体或氢气气氛下，将沉积有钒氧化物薄膜的衬底与单质碲进行化学反应，反应温度为550～800℃，反应气压为100～800帕，反应时间为1分钟～30分钟，自然冷却后得到大面积单层二碲化钒材料。本发明的优点是：反应简单，可控性好，能在100cm的衬底上制备出均一、稳定的单层二碲化钒材料。该发明制备的单层二碲化钒材料，在二维金属和半导体材料的制备及应用等方面有重要意义。
申请人：中国科学院上海技术物理研究所
地址：200083 上海市虹口区玉田路500号
国籍：CN
代理机构：上海沪慧律师事务所
代理人：郭英
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