专利名称：制作集成电路的方法专利类型：发明专利
发明人：黄致凡,陈蕙祺,张国钦,陈殿豪,陈燕铭申请号：CN201910538203.9申请日：20190620公开号：CN110660685A公开日：20200107
摘要：此处提供半导体装置、集成电路、与其形成方法。在一实施例中，制作集成电路的方法包括：形成钝化层于第一接点结构上；形成第二接点结构于钝化层上并穿过钝化层，以电性连接至第一接点结构；以及形成多层钝化结构于第二接点结构与钝化层上。形成多层钝化结构的步骤包括沉积第一氮化物层、沉积氧化物层于第一氮化物层上、以及沉积第二氮化物层于氧化物层上。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：CN
代理机构：隆天知识产权代理有限公司
代理人：黄艳
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