专利名称：Method of growing silicon single crystals发明人：Murai, Toshinari,Iino, Eiichi,Arai,
Hideo,Fusegawa, Izumi, Haranaka-shataku308,Yamagishi, Hirotoshi
申请号：EP95301338.0申请日：19950302公开号：EP0671491A1公开日：19950913
专利附图：
摘要：Array
申请人：SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
地址：4-2, Marunouchi 1-Chome Chiyoda-ku Tokyo JP
国籍：JP
代理机构：Whalley, Kevin
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容