专利名称：大温区低电阻率温度系数薄膜材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：曹则贤,鲁年鹏,纪爱玲申请号：CN201310023361.3申请日：20130122公开号：CN103060603A公开日：20130424
摘要：本发明公开了一种大温区低电阻率温度系数薄膜材料及其制备方法，大温区低电阻率温度系数薄膜材料的分子式为CuNAg，其中，x为0.57～1.00。本发明制备的CuNAg薄膜材料，其表面光滑致密，结构单一及组分均匀，在5～300K的大温度区间范围内，当银掺杂量大于0.570后，薄膜的TCR值开始变得很小，最小可达18ppm/K，其可用作电子学器件的大温区精密电阻材料，具有广泛的应用前景。
申请人：中国科学院物理研究所
地址：100190 北京市海淀区中关村南三街八号
国籍：CN
代理机构：北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：胡剑辉
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